產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
VS3640DS-VB 詳細參數說明
- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙 N 型 MOSFET (Dual-N+N-Channel)
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 16mΩ @ VGS = 10V
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- **額定漏極電流(ID)**:8.5A
- **技術**:Trench
- **工作溫度範圍**:-55°C 到 +150°C
- **最大功耗(Ptot)**:25W(取決於散熱條件)
該器件的低 RDS(ON) 特性使其在大電流和高頻應用中具有較低的功率損耗,適合用於對效率要求較高的電源和驅動電路。
領域和模塊應用:
適用領域和模組
1. **電源管理系統**
由於其低導通電阻和高效的開關特性,VS3640DS-VB 特別適合用於電源轉換器中,尤其是在 DC-DC 轉換器中,可以作為高頻開關器件使用,從而實現高效的能量轉換與分配。
2. **電池管理模組**
該 MOSFET 的低導通電阻有助於在電池管理系統(BMS)中實現高效的電池充放電控制,減少因開關損耗產生的熱量,提高整體系統的能效,延長電池壽命。
3. **負載開關與保護電路**
由於其閾值電壓(Vth)較低,該 MOSFET 可以作為負載開關,用於保護電路中的過流保護、過熱保護等功能,以確保系統在各種工作條件下的穩定性。
4. **功率放大器與低壓驅動應用**
在功率放大器和低壓驅動電路中,VS3640DS-VB 的高導電性和小體積使其成為理想選擇,能夠為高效的開關操作和信號處理提供所需的功率。
5. **通信設備**
在通信設備中,尤其是需要高頻開關操作的射頻放大器、數字信號處理(DSP)模組中,VS3640DS-VB 可以有效地減少開關損耗,提高信號處理速度和通信效率。
總結:VS3640DS-VB 是一款適用於多種低壓高效電源管理系統、驅動電路和保護應用的高性能 MOSFET,其低導通電阻和高電流能力使其在功率密度要求較高的場合表現突出。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性