產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
|
2mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
40V |
|
3V |
120A |
|
Trench |
2. **詳細參數說明:**
- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- DFN8封裝具有緊湊的尺寸,提供較大的熱散能力,適用於空間要求嚴格且對散熱有較高要求的設計。
- **配置**:單N溝MOSFET
- 適用於開關電路、功率轉換器、負載開關等場景,具有N型溝道特性,常用於低電壓控制與大電流處理。
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- 適用於40V以下的低壓驅動電路,能夠承受較大的電壓差。
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- 柵電壓最大可達到±20V,適應多種驅動電路要求。
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- 該MOSFET的開關閾值為3V,較低的Vth有助於提高開關速度和效率。
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 2mΩ(VGS = 10V)
- 該MOSFET具有超低的導通電阻,減少了導通損耗和發熱,特別適合高效能應用。
- **最大漏極電流(ID)**:120A
- 可處理高達120A的電流,適用於大功率負載的開關與控制。
- **技術類型**:Trench(槽型)
- 使用Trench技術可提供更好的電流導通性能和更低的導通損耗,適用於高效電源和電力管理系統。
領域和模塊應用:
3. **應用領域及模組示例:**
- **高效DC-DC轉換器**:
由於其低RDS(ON)和大電流承載能力,VS40200AP-VB廣泛應用於DC-DC轉換器中,尤其是在高效率電源轉換場合。低導通電阻確保轉換過程中的能量損失最小化,適用於需要穩定輸出的高效電源供應模組,如伺服器電源、高效電池充電器和高性能電源管理系統。
- **電池管理系統(BMS)**:
VS40200AP-VB在電池管理系統中可以作為高效電流開關元件,用於電池的充電和放電路徑控制。其高電流承載能力使其特別適用於電動工具、電動汽車(EV)以及UPS(不間斷電源)系統的電池保護和管理。
- **汽車電子與電動汽車(EV)**:
該MOSFET非常適合用於電動汽車的電源管理、電池組管理以及電機驅動控制中。在電動汽車的動力系統中,VS40200AP-VB能夠高效控制電機和電池之間的電流流動,同時其大電流能力確保了電動驅動系統的高效運作。
- **工業電源管理**:
VS40200AP-VB能夠在工業電源模組中實現高效的電力控制。其超低的導通電阻和高電流能力使其特別適用於大功率應用,如工業機器人、自動化系統和大型電力轉換設備。
- **電動工具**:
由於其高電流承載能力和低導通電阻,VS40200AP-VB適用於電動工具中的高效電流開關和功率管理。例如,電動螺絲刀、電動鑽等工具中的電池管理和電動驅動電路中,可以使用此MOSFET進行電流控制。
- **功率因數校正(PFC)電路**:
在功率因數校正電路中,VS40200AP-VB能夠提供高效的電流開關,降低系統的能量損耗,優化電源的效率,確保系統的功率因數達到高標準,尤其適用於高功率LED驅動器和大功率開關電源。
VS40200AP-VB憑藉其優異的電流處理能力和低損耗特性,能夠在多個高效電源和功率管理應用中提供理想的性能,廣泛應用於從工業設備到消費電子的多個領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性