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W257-VB 產品詳細

產品簡介:

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W257-VB是一款採用SOP8封裝的雙極N+N通道MOSFET,具有100V的漏源電壓(VDS)和最大3A的漏極電流(ID)。這款MOSFET使用Trench技術,具有200mΩ的導通電阻(VGS=10V),在中等功率應用中表現出良好的開關性能和高效能。其閾值電壓(Vth)為1.5V,適合在較低的柵源電壓下開啟,具有較低的功耗和更高的效率。W257-VB廣泛應用於電源管理、功率開關、電池管理系統以及各種低電壓驅動應用,特別適合用於中低功率系統,確保高效的電力轉換和穩定的工作性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A 200mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 100V 1.5V 3A Trench
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- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙極N+N通道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:200mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:3A
- **技術**:Trench
- **應用場景**:電源管理、DC-DC轉換器、電池管理系統、功率轉換模組。

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領域和模塊應用:

. **應用舉例**
W257-VB適用於中低功率電源管理和功率轉換系統。例如,它可以用作DC-DC轉換器中的開關元件,有助於提高能效和減少功率損失,特別是在5V或12V系統中。由於其較低的導通電阻,它還適合用於低功耗電子設備,如可攜式設備、電池充電器和LED驅動電路等。此外,在電池管理系統(BMS)中,W257-VB可以用作電池充放電控制開關,確保電池在安全範圍內高效工作。由於其能夠在較低的柵源電壓下開啟,W257-VB還特別適用於需要低電壓驅動的應用,如消費類電子產品、智能家居設備和車載電源管理系統等。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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