產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
160A |
|
|
1.8mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
160A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
160A |
|
Trench |
詳細參數說明:
- **封裝類型**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單極 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:2.5mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V:1.8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:160A
- **技術**:Trench 技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C(適用於極端環境)
- **電流承載能力**:具有非常低的 RDS(ON) 值,可以提供高達 160A 的電流,極大地提高系統的效率。
領域和模塊應用:
應用領域與模組舉例:
1. **電源管理模組**:
- WSD30150DN56-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其非常適合用於電源管理系統,特別是在需要高效率的 DC-DC 轉換器、電源開關以及大功率電源模組中。低 RDS(ON) 值減少了熱量產生,從而提高了電源效率和可靠性。
2. **電動汽車與電池管理系統(BMS)**:
- 在電動汽車中,MOSFET 可用作電池管理系統(BMS)中的開關元件,控制充電和放電過程。其低導通電阻和高電流承載能力可以高效地進行電池電流的調控,避免了過熱問題,提高了電池系統的整體效率。
3. **負載開關與保護模組**:
- WSD30150DN56-VB 的快速開關性能使其非常適合應用於負載開關模組,廣泛應用於伺服器、電腦電源及其他需要高效電流切換的場合。在過流保護、電流限制和電源切換過程中,極低的導通電阻確保系統的能效不受損失。
4. **汽車電子模組**:
- 在汽車電子設備中,MOSFET 可以用於電源轉換、驅動和保護電路,尤其在高功率負載和電池系統的管理中。WSD30150DN56-VB 的低 RDS(ON) 和高電流能力使其成為汽車電子模組中理想的開關元件,確保在嚴苛環境下的高效運行。
5. **逆變器與電力轉換模組**:
- 在逆變器和其他電力轉換系統中,WSD30150DN56-VB 可用於高效率的開關操作。其優異的熱性能和低導通電阻,確保其在高頻率切換條件下維持高效能,尤其適用於光伏逆變器、電池儲能系統和智能電網模組。
通過這些應用,WSD30150DN56-VB MOSFET 能夠在多種高效能、高電流密度的場景中發揮其優勢,滿足現代高功率電子設備的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性