推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

WSD30150DN56-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:WSD30150DN56-VB MOSFET

WSD30150DN56-VB 是一款具有超低 RDS(ON) 值的高效能單極 N 通道 MOSFET,採用 DFN8 (5x6) 封裝,適用於高頻高功率應用。該 MOSFET 的最大漏極-源極電壓(VDS)為 30V,具備極低的導通電阻,確保其在高電流應用下提供卓越的功率效率。它的閾值電壓(Vth)為 1.7V,VGS 控制電壓範圍為 ±20V,能夠以極低的開關損耗運行,適用於要求高效、低熱輸出的電源管理、負載開關和功率轉換應用。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單極 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:2.5mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V:1.8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:160A
- **技術**:Trench 技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C(適用於極端環境)
- **電流承載能力**:具有非常低的 RDS(ON) 值,可以提供高達 160A 的電流,極大地提高系統的效率。

領域和模塊應用:

應用領域與模組舉例:

1. **電源管理模組**:
- WSD30150DN56-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其非常適合用於電源管理系統,特別是在需要高效率的 DC-DC 轉換器、電源開關以及大功率電源模組中。低 RDS(ON) 值減少了熱量產生,從而提高了電源效率和可靠性。

2. **電動汽車與電池管理系統(BMS)**:
- 在電動汽車中,MOSFET 可用作電池管理系統(BMS)中的開關元件,控制充電和放電過程。其低導通電阻和高電流承載能力可以高效地進行電池電流的調控,避免了過熱問題,提高了電池系統的整體效率。

3. **負載開關與保護模組**:
- WSD30150DN56-VB 的快速開關性能使其非常適合應用於負載開關模組,廣泛應用於伺服器、電腦電源及其他需要高效電流切換的場合。在過流保護、電流限制和電源切換過程中,極低的導通電阻確保系統的能效不受損失。

4. **汽車電子模組**:
- 在汽車電子設備中,MOSFET 可以用於電源轉換、驅動和保護電路,尤其在高功率負載和電池系統的管理中。WSD30150DN56-VB 的低 RDS(ON) 和高電流能力使其成為汽車電子模組中理想的開關元件,確保在嚴苛環境下的高效運行。

5. **逆變器與電力轉換模組**:
- 在逆變器和其他電力轉換系統中,WSD30150DN56-VB 可用於高效率的開關操作。其優異的熱性能和低導通電阻,確保其在高頻率切換條件下維持高效能,尤其適用於光伏逆變器、電池儲能系統和智能電網模組。

通過這些應用,WSD30150DN56-VB MOSFET 能夠在多種高效能、高電流密度的場景中發揮其優勢,滿足現代高功率電子設備的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢