產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
詳細參數說明:
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙 N 通道 + P 通道(Dual-N+P-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:
- N 通道:1.6V
- P 通道:-1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- N 通道:
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:24mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V:18mΩ
- P 通道:
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:50mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V:40mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:±8A
- **技術**:Trench 技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C
領域和模塊應用:
應用領域與模組舉例:
1. **電源管理與開關電源**:
- XP135A1145SR-VB 可用於各種電源管理和開關電源模組,特別是需要雙 N 通道和 P 通道 MOSFET 的應用,如電池管理系統和 DC-DC 轉換器。在這些應用中,該 MOSFET 提供優異的電流控制,低導通電阻使其在高頻開關操作下功率損耗更低,從而提高系統效率和可靠性。
2. **負載開關**:
- 在負載開關電路中,XP135A1145SR-VB 能夠高效地切換負載電流,特別適用於需要雙極性電源的應用。例如,智能家居、消費電子設備以及可穿戴設備中的電源開關系統,都可以利用該 MOSFET 提供高效、可靠的負載開關解決方案。
3. **電池保護與管理**:
- 在電池管理和保護電路中,XP135A1145SR-VB 的雙 N 通道和 P 通道結構可以幫助實現高效的電池過充、過放、短路保護等功能。其低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其能夠處理較大的電流,同時減少功率損耗,延長電池壽命。常見應用包括電動工具、電動汽車和移動電子產品等領域。
4. **逆變器和太陽能電池板系統**:
- 在逆變器和太陽能電池板系統中,XP135A1145SR-VB 被廣泛應用於功率轉換和電流控制。它能夠高效地切換電流並處理多種輸入輸出電壓,適合用於需要雙極性開關的逆變電路。其低 RDS(ON) 值和高電流能力使其在這些高效率要求的應用中表現優異。
5. **汽車電子系統**:
- XP135A1145SR-VB 也適用於汽車電子系統中的電源管理與負載控制,特別是在電動汽車、混合動力汽車等領域。其雙極性 MOSFET 設計能夠有效地處理電池管理、功率轉換以及電動機驅動等應用中的電流切換,提供高效的電力控制和優化的系統性能。
6. **高頻開關應用**:
- 由於其低導通電阻,XP135A1145SR-VB 在高頻開關應用中表現出色。例如,在通信設備中的電源開關、功率放大器等模組中,可以利用該 MOSFET 進行高效的電流控制,以提高系統的頻率回應能力並減少不必要的功耗。
7. **消費類電子產品**:
- XP135A1145SR-VB 適用於各類消費類電子產品中,特別是那些對功率管理和電池保護有嚴格要求的產品,如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等。在這些產品中,該 MOSFET 可實現高效的電源切換和電池保護功能,從而延長電池壽命並提升用戶體驗。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性