產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
2. **詳細參數說明:ZXMN3A04DN8TC-VB**
- **型號**: ZXMN3A04DN8TC-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙 N+N 型通道(Dual-N+N-Channel)
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 時:20mΩ
- VGS = 10V 時:16mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **工作溫度範圍**: -55°C 到 +150°C
- **技術**: Trench 技術
- **輸入電容 (Cgs)**: 2200pF(VGS=10V)
- **輸出電容 (Cds)**: 90pF(VDS=30V)
- **最大功耗**: 40W(根據實際工作條件)
- **開關速度**: 高速開關,適合高頻應用
領域和模塊應用:
3. **應用領域與模組示例**
ZXMN3A04DN8TC-VB 由於其低導通電阻和高速開關特性,非常適用於多個低功率系統中的功率管理和開關控制。以下是該型號 MOSFET 在不同領域和模組中的一些典型應用:
# **電源管理與低功率轉換**
- **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 降壓和升壓轉換器中,ZXMN3A04DN8TC-VB 可以作為高效開關器件,提供低功耗、高效的電壓轉換,適用於各種消費類電子產品(如電池充電器、無線設備電源適配器等)。其低導通電阻和快速開關特性確保轉換過程中的高效能。
- **電池管理系統(BMS)**: ZXMN3A04DN8TC-VB 在電池管理系統中能夠提供穩定的電流控制,優化電池的充電和放電過程,特別適用於智能家居、可攜式設備、無人機等使用電池的系統,幫助延長電池壽命並提高整體系統效率。# **電動機驅動與控制**
- **小功率電機驅動**: ZXMN3A04DN8TC-VB 在小型直流電動機(DC Motor)驅動中有廣泛應用。例如,可用於玩具車、自動化設備中的電動機驅動。由於其低 RDS(ON) 特性,能夠提高電機驅動電路的工作效率,減少功率損耗並延長電池壽命。
- **步進電機驅動**: 該 MOSFET 同樣適用於步進電機的驅動,常見於印表機、自動化機械設備、機器人等應用中。其快速開關特性確保電流的平穩控制,從而提升電機的控制精度和回應速度。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性