ZXMN3B04N8TA-VB - VBsemi MOSFETs製造商

ZXMN3B04N8TA-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

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ZXMN3B04N8TA-VB 是一款單極性 N 通道 MOSFET，採用 Trench 技術，具有低導通電阻（RDS(ON)）特性，適用於需要高效能和低功耗的應用。該產品具有 30V 的漏源電壓（VDS）和 13A 的最大漏極電流（ID），適用於開關電源、電機驅動、負載開關等多種應用。

2. **

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A			8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

**
- **封裝類型**：SOP-8
- **配置**：單 N 通道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：13A
- **技術**：Trench

3

領域和模塊應用：

. **應用領域和模組**
ZXMN3B04N8TA-VB 可廣泛應用於低電壓、高效率的開關電源（如 DC-DC 轉換器、步進電源），電機驅動（如無刷直流電機控制）、負載開關、負載保護、LED 驅動器等電路中。由於其低 RDS(ON) 特性，這款 MOSFET 能夠在大電流應用中有效減少功耗並提高系統效率，特別適合需要高開關頻率和小尺寸封裝的設計。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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