產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-9A |
|
|
18mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-9A |
|
Trench |
*ZXMP3F37N8TC-VB 參數說明**
- **封裝類型**:SOP8,提供多個引腳,適合高密度電路設計,節省空間並提高電氣性能。
- **配置形式**:單 P 通道 MOSFET,用於負載開關和功率調節。
- **漏源極電壓 (VDS)**:-30V,適合在中低電壓環境下使用。
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V,柵極與源極之間的電壓限制,確保器件正常運行。
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V,指示 P 通道 MOSFET 導通的臨界電壓。
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- RDS(ON) = 24mΩ (VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 18mΩ (VGS = 10V)
- 較低的導通電阻減少了功耗和熱量生成。
- **最大漏極電流 (ID)**:-9A,確保器件能夠承受的最大反向電流,適用於較高功率應用。
- **技術**:Trench 工藝,提供較低的導通電阻和高效率。
領域和模塊應用:
ZXMP3F37N8TC-VB 應用領域及模組舉例**
1. **電池管理系統(BMS)**:
- ZXMP3F37N8TC-VB 可用於電池充放電控制電路,提供高效的電流調節功能,防止過充或過放電,確保電池的安全性和長壽命。在電池供電系統中,它能夠高效地管理電池的充電和放電過程,減少功耗,延長電池壽命。
2. **消費電子設備(如筆記本電腦、智能手機)**:
- 在消費電子產品的電源管理中,該 MOSFET 適用於負載開關和電源切換電路。其低導通電阻和較高的電流承載能力能提高電源效率,減少能量浪費,優化電池使用時間,尤其適合對功率和空間要求較高的緊湊型設備。
3. **汽車電子系統**:
- 在汽車音響、車載電源管理系統等應用中,ZXMP3F37N8TC-VB 可以作為功率開關使用。其能夠高效控制電流,減少熱量生成,在汽車環境中確保長期穩定運行,提升汽車電子系統的整體性能。
4. **DC-DC 轉換器**:
- ZXMP3F37N8TC-VB 可用於 DC-DC 轉換器中,作為開關元件,幫助提高轉換效率。其低導通電阻減少了開關損耗,並確保了電流的穩定傳輸,適用於對電源效率有較高要求的應用。
5. **工業自動化控制系統**:
- 在工業自動化設備中,ZXMP3F37N8TC-VB 可用作電流開關和信號調節電路。其高承載能力和穩定的性能使其能夠在不同環境下有效工作,支持複雜的工業控制系統,保證系統的可靠性和高效性。
6. **LED 驅動電路**:
- 該 MOSFET 還可用於 LED 照明系統中,通過精確控制電流,實現高效驅動,減少能量損失並提高系統的穩定性和壽命。
ZXMP3F37N8TC-VB 因其低 RDS(ON) 和高電流承載能力,適用於廣泛的電源管理和功率控制應用,特別適合在高效能要求的環境中發揮作用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性