在電路中，存在 3 個 MOS 管的結電容，寄生電感源於電路走線。倘若不考慮紋波、EMI（電磁干擾）和衝擊電流等因素，從理論上來說，MOS 管的開關速度越快，對電路性能越有利。這是因為開關時間越短，開關損耗就越小，而在開關電源裏，開關損耗在總損耗中佔據相當大的比例。所以，MOS 管驅動電路的設計優劣直接決定了電源的效率表現。

那麼如何實現 MOS 管的快速開啟和關閉呢？

關鍵在於提供足夠大的瞬間驅動電流。其理論依據是：

對於單個 MOS 管，將 GS 間電壓從 0 拉至開啟電壓或從開啟電壓降至 0V 的時間越短，開啟和關斷速度就越快，因此要在更短時間內改變 GS 電壓，就需給柵極更大的瞬間驅動電流。

在MOS 驅動電路設計時，還需注意以下幾點：

在柵極串聯約 10 歐電阻，以降低 LC 振盪電路的 Q 值，使振盪快速衰減。

為了防止 MOS 管誤導通，可以在 MOS 管 G 極和 S 極間並聯一個 10K 電阻，降低輸入阻抗。

此外，在 GS 之間並聯約 18V 的 TVS 瞬態抑制二極體，防止 MOS 管被瞬間高壓擊穿。