在人工智慧計算爆發式增長的今天，AI伺服器的算力密度與能耗挑戰日益嚴峻。作為伺服器動力的源頭，12V主電源匯流排的高效、穩定與可靠轉換，直接關係到整個系統的性能發揮與運營成本。為此，我們隆重推出專為AI伺服器12V系統AC-DC轉換電路優化的功率MOSFET解決方案——MOS-VBGQA1400，以卓越性能助力數據中心能效躍升新臺階。
極致效率，賦能綠色算力
AI伺服器集群的能耗巨大，電源轉換效率每提升0.1%，都意味著可觀的電力節約與碳減排。MOS-VBGQA1400憑藉其超低的0.8mΩ（@Vgs=10V）導通電阻（RDS(on)），在關鍵的一次側同步整流或DC-DC轉換階段，能顯著降低導通損耗，將更多電能高效輸送至GPU、CPU等計算核心。這直接轉化為更低的系統發熱、更高的整體能效與更優的總擁有成本（TCO）。
高功率密度，應對緊湊設計
現代伺服器電源向著更高功率密度飛速演進。MOS-VBGQA1400採用先進的DFN8(5x6)封裝，在提供強大功率處理能力的同時，實現了極其緊湊的占板面積。其單N溝道配置與優化的封裝熱性能，讓電源設計師能夠在有限空間內佈局更大電流、更高效率的功率級，輕鬆應對下一代高密度AI伺服器的嚴苛要求。
強勁穩健，保障可靠運行
面對伺服器電源的複雜工況，MOS-VBGQA1400展現了全方位的穩健性：
40V的漏源電壓（VDS）與±20V的柵源電壓（VGS），為12V匯流排應用提供了充裕的安全裕量，確保在浪湧等異常情況下穩定工作。
2.5V的標準閾值電壓（Vth），兼顧了驅動的便利性與抗干擾能力。
高達250A的連續漏極電流（ID）承載能力，足以駕馭AI伺服器電源啟動及峰值負載的嚴酷考驗。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用創新的SGT（Shielded Gate Trench）技術。該技術通過獨特的槽柵與遮罩結構，在實現超低導通電阻和柵極電荷（Qg）之間取得了最佳平衡。這不僅降低了開關損耗，提升了高頻工作下的效率，也減輕了驅動電路的負擔，使得系統可以在更高開關頻率下運行，進一步縮小磁性元件的體積。
MOS-VBGQA1400 關鍵參數速覽
封裝： DFN8 (5mm x 6mm)
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 40V
柵源電壓（VGS）： ±20V
閾值電壓（Vth）： 2.5V
導通電阻（RDS(on)）： 0.8 mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流（ID）： 250A
核心技術： SGT
選擇MOS-VBGQA1400，不僅是選擇了一顆高性能的功率MOSFET，更是為您的AI伺服器電源系統選擇了：
更高的能源效率，降低運營成本。
更緊湊的電源設計，釋放算力空間。
更可靠的系統保障，確保持續服務。
面向未來的技術平臺，領先一步。
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