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為AI高壓母線注入可靠動能:MOS-VBGQA1103,重新定義48V熱插拔電路保護
時間:2025-12-09
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在人工智慧計算邁向高壓直流的今天,AI伺服器48V供電系統的安全與穩定面臨全新挑戰。作為保障系統線上維護與可靠運行的關鍵,熱插拔電路的性能直接決定了電源鏈路的魯棒性與可用性。為此,我們隆重推出專為AI伺服器48V系統熱插拔電路優化的功率MOSFET解決方案——MOS-VBGQA1103,以卓越的穩健性守護數據中心電力命脈。
極致穩健,保障系統線上
AI伺服器要求零停機維護,熱插拔操作時的安全隔離與平滑上電至關重要。MOS-VBGQA1103憑藉其100V的漏源電壓(VDS),為48V匯流排應用提供了充足的安全裕量,有效抵禦熱插拔帶來的電壓應力與浪湧衝擊。±20V的柵源電壓(VGS)確保驅動相容性與可靠性,為關鍵的保護電路築起堅固防線。
高效導通,優化功率路徑
熱插拔電路的導通損耗直接影響系統能效與溫升。MOS-VBGQA1103擁有低至3.45mΩ(@Vgs=10V)的導通電阻(RDS(on)),在承載大電流時能顯著降低功率損耗,減少熱量積累,確保電能高效、低損地輸送至後續負載。這不僅提升了系統整體能效,也降低了散熱設計的複雜度。
強大載流,應對瞬態衝擊
伺服器熱插拔瞬間可能產生巨大的浪湧電流。MOS-VBGQA1103具備高達135A的連續漏極電流(ID)承載能力,能夠從容應對插入瞬間的嚴酷電流考驗,確保電源路徑穩定可靠,為GPU、加速卡等核心負載提供平滑的上電體驗。
緊湊設計,集成高功率密度
現代伺服器空間寸土寸金。MOS-VBGQA1103採用先進的DFN8(5x6)封裝,在極小的占板面積內集成了強大的功率處理能力。其單N溝道配置與優化的熱性能,助力工程師在緊湊佈局中實現高性能、高可靠性的熱插拔解決方案,適應高密度AI伺服器的苛刻要求。
先進技術,鑄就平衡性能
內核採用創新的SGT(Shielded Gate Trench)技術。該技術通過獨特的槽柵與遮罩結構,實現了導通電阻、柵極電荷與體二極體特性的優異平衡。這不僅確保了低損耗和高效率,更優化了熱插拔應用中的開關與體二極體續流性能,提供全面可靠的保護。
MOS-VBGQA1103 關鍵參數速覽
封裝: DFN8 (5mm x 6mm)
配置: Single N-Channel
漏源電壓(VDS): 100V
柵源電壓(VGS): ±20V
閾值電壓(Vth): 1.5V
導通電阻(RDS(on)): 3.45 mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流(ID): 135A
核心技術: SGT
選擇MOS-VBGQA1103,不僅是選擇了一顆高性能的功率MOSFET,更是為您的AI伺服器48V供電系統選擇了:
更可靠的線上維護,保障業務連續。
更高效的功率路徑,提升系統能效。
更強大的瞬態承載,應對突發衝擊。
更緊湊的電路設計,節省寶貴空間。
以尖端功率器件,為人工智能的高壓供電,構築最安全、最穩健的接入基石。MOS-VBGQA1103,為您的下一代AI伺服器熱插拔設計注入安心動能!
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