在低空飛行與電動垂直起降（eVTOL）產業迅猛發展的今天，飛行器的功率密度與能源效率挑戰日益嚴峻。作為電推進系統的核心，高壓動力匯流排的高效、可靠轉換，直接關係到飛行器的性能、航程與運營安全。為此，我們隆重推出專為中大型電動飛行器高壓DC-DC及電機驅動電路優化的SiC MOSFET解決方案——VBQT165C30K，以卓越性能助力電動航空能效躍升新臺階。
極致效率，賦能長續航飛行
電動飛行器的續航與能耗至關重要，動力轉換效率每提升一步，都意味著更遠的航程與更低的運營成本。VBQT165C30K憑藉其優異的55mΩ（@Vgs=18V）導通電阻（RDS(on)），在關鍵的高壓逆變與DC-DC轉換階段，能顯著降低導通損耗，將更多電能高效輸送至推進電機。這直接轉化為更優的能源利用率、更長的滯空時間與更具競爭力的運營經濟性。
高功率密度，應對嚴苛空間限制
航空級電氣系統對功率密度與重量有著極致要求。VBQT165C30K採用先進的TOLL-HV封裝，在提供卓越功率處理能力的同時，實現了優異的散熱性能與緊湊體積。其單N溝道配置與優化的封裝設計，讓工程師能夠在嚴格的重量與空間預算內，構建更高效率、更高可靠性的高壓功率模組，輕鬆滿足下一代電動飛行器的苛刻標準。
強勁穩健，保障絕對安全
面對高空飛行的複雜工況與嚴苛環境，VBQT165C30K展現了全方位的穩健性：
650V的漏源電壓（VDS）為400-800V級航空高壓母線應用提供了充足的安全裕量，確保在浪湧及瞬態條件下穩定工作。
-10V / +20V的柵源電壓（VGS）範圍與1.5V~4.5V的閾值電壓（Vth），確保了驅動的魯棒性與抗干擾能力。
高達35A的連續漏極電流（ID）承載能力，足以應對飛行器啟動、爬升及機動過程中的峰值功率需求。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用第三代碳化矽（SiC）技術。該材料技術憑藉其寬頻隙特性，實現了更低的導通損耗、更高的開關頻率與優異的高溫工作能力。這不僅顯著降低了系統總損耗，提升了功率密度，也使得電驅系統可以在更高效率區間運行，同時減少散熱負擔，為飛行器輕量化與高可靠性奠定基礎。
VBQT165C30K 關鍵參數速覽
封裝： TOLL-HV
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 650V
柵源電壓（VGS）： -10V / +20V
閾值電壓（Vth）： 1.5V ~ 4.5V
導通電阻（RDS(on)）： 55 mΩ @ Vgs=18V
連續漏極電流（ID）： 35A
核心技術： SiC
選擇VBQT165C30K，不僅是選擇了一顆高性能的SiC MOSFET，更是為您的電動飛行器動力系統選擇了：
更高的能源效率，拓展飛行邊界。
更緊湊輕量的電驅設計，提升有效載荷。
更可靠的空中保障，守護飛行安全。
面向未來的電動航空技術平臺，領先一步。
以尖端碳化矽功率器件，為電動航空的澎湃動力，奠定最高效、最堅實的能源基石。VBQT165C30K，為您的新一代eVTOL及電動飛行器設計注入強大動能！