在低空經濟與電動垂直起降飛行器（eVTOL）迅猛發展的今天，飛行器電驅系統的功率密度、效率與可靠性面臨前所未有的挑戰。作為高壓動力總成的核心，高效、穩健的功率轉換直接決定了飛行器的續航、性能與安全。為此，我們隆重推出專為eVTOL等中大型飛行器高壓電驅系統優化的功率MOSFET解決方案——VBL165R25SE，以卓越性能助力飛行器能效與可靠性躍升新臺階。
極致效率，賦能長續航飛行
飛行器對重量與能耗極度敏感，電驅系統效率每提升一分，都直接轉化為更長的航程與更優的經濟性。VBL165R25SE憑藉其優異的115mΩ（@Vgs=10V）導通電阻（RDS(on)），在主逆變器或DC-DC轉換等關鍵高壓環節，能顯著降低導通損耗，將更多電能高效轉化為飛行動力。這直接意味著更低的系統熱耗散、更高的整體能效與更出色的續航表現。
高耐壓與功率密度，應對嚴苛航空環境
現代飛行器電驅系統向高壓化、高密度化持續演進。VBL165R25SE採用堅固的TO263封裝，在提供強大功率處理能力的同時，確保了優異的機械與熱可靠性。其650V的高漏源電壓（VDS）為400V及以上高壓母線應用提供了充足的安全裕度，輕鬆應對空中複雜的電壓波動與浪湧衝擊，滿足緊湊且高可靠的航空級設計需求。
強勁穩健，守護飛行安全
面對高空飛行中的極端工況與高可靠性要求，VBL165R25SE展現了全方位的穩健性：
650V的高漏源電壓（VDS）與±30V的柵源電壓（VGS），為高壓電驅系統構築了堅固的安全屏障。
3.5V的標準閾值電壓（Vth），確保了驅動的穩健性與抗干擾能力。
高達25A的連續漏極電流（ID）承載能力，足以應對飛行器起飛、爬升等峰值功率階段的嚴酷考驗。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用創新的SJ_Deep-Trench（超結深溝槽）技術。該技術通過獨特的電荷平衡與深溝槽結構，在實現高耐壓與低導通電阻之間取得了卓越平衡。這不僅大幅降低了開關損耗，提升了高頻下的工作效率，也使得系統能在更高的功率密度下穩定運行，為飛行器電驅系統的輕量化與小型化奠定基礎。
VBL165R25SE 關鍵參數速覽
封裝： TO263
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 650V
柵源電壓（VGS）： ±30V
閾值電壓（Vth）： 3.5V
導通電阻（RDS(on)）： 115mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流（ID）： 25A
核心技術： SJ_Deep-Trench
選擇VBL165R25SE，不僅是選擇了一顆高性能的功率MOSFET，更是為您的飛行器電驅系統選擇了：
更高的能源效率，提升續航與運營經濟性。
更高的電壓耐受性與可靠性，保障飛行安全。
更優化的功率密度，助力系統輕量化設計。
面向未來的航空電驅技術平臺，贏得領先優勢。
以尖端功率器件，為低空飛行的電動化未來，奠定高效、安全、可靠的動力基石。VBL165R25SE，為您的中大型飛行器設計注入騰飛動能！