在低空經濟與電動垂直起降飛行器（eVTOL）迅猛發展的今天，飛行器動力系統的功率密度與可靠性的挑戰日益嚴峻。作為高壓電驅動力的核心，650V級主功率回路的高效、穩定與可靠轉換，直接關係到整機的飛行性能、續航里程與安全運營。為此，我們隆重推出專為中大型電動飛行器高壓電驅系統優化的功率MOSFET解決方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBM165R32S，以卓越性能助力空中交通能效與可靠性躍升新臺階。
極致效率，賦能長續航飛行
電動飛行器的續航能力至關重要，電驅系統效率每提升一分，都意味著更長的航程與更優的經濟性。VBM165R32S憑藉其優異的85mΩ（@Vgs=10V）導通電阻（RDS(on)），在關鍵的高壓逆變與DC-DC轉換階段，能顯著降低導通損耗，將更多電能高效轉化為推進動力。這直接轉化為更低的系統溫升、更高的整體能效與更出色的續航表現。
高可靠性設計，應對空中嚴苛環境
航空級應用對器件的穩健性要求極高。VBM165R32S展現了全方位的飛行級穩健性：
650V的漏源電壓（VDS） 與 ±30V的柵源電壓（VGS），為高壓母線應用提供了充裕的安全裕量，確保在複雜工況及瞬態衝擊下穩定工作。
3.5V的標準閾值電壓（Vth），確保了驅動的可靠性與抗干擾能力。
高達32A的連續漏極電流（ID） 承載能力，滿足飛行器啟動、爬升及峰值功率輸出的嚴苛需求。
強勁穩健，保障安全飛行
面對空中飛行的振動、溫度變化及電磁複雜環境，VBM165R32S採用堅固的TO220封裝，提供強大的功率處理能力與優異的散熱特性，讓電驅設計師能夠構建出既緊湊又高可靠的功率單元，從容應對eVTOL等飛行器對動力系統的高標準要求。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用創新的 SJ_Multi-EPI（超級結-多外延）技術。該技術通過精密的電荷平衡與多層外延結構，在實現低導通電阻和低開關損耗之間取得了最佳平衡。這不僅提升了系統效率，優化了熱管理，也支持更高頻率的開關運行，有助於減小濾波與磁性元件的體積與重量，為飛行器輕量化做出貢獻。
VBM165R32S 關鍵參數速覽
封裝： TO220
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 650V
柵源電壓（VGS）： ±30V
閾值電壓（Vth）： 3.5V
導通電阻（RDS(on)）： 85 mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流（ID）： 32A
核心技術： SJ_Multi-EPI
選擇VBM165R32S，不僅是選擇了一顆高性能的功率MOSFET，更是為您的電動飛行器動力系統選擇了：
更高的電驅效率，提升續航與經濟性。
更穩健的空中表現，保障飛行安全。
更緊湊的功率單元設計，助力輕量化佈局。
面向未來的航空級技術平臺，領航低空通航。
以尖端功率器件，為電動飛行的澎湃動力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBM165R32S，為您的新一代eVTOL及電動飛行器設計注入強勁升力！