在低空經濟與電動垂直起降飛行器（eVTOL）迅猛發展的今天，飛行器電驅系統的功率密度、效率與可靠性面臨前所未有的嚴苛挑戰。作為高壓動力總成的核心，高效、穩健的功率轉換直接決定了飛行器的續航、性能與安全。為此，我們隆重推出專為eVTOL等中大型飛行器高壓電驅系統優化的功率MOSFET解決方案——VBP165R64SFD，以卓越性能助力飛行器能效與可靠性全面躍升。
極致高效，賦能長續航飛行
eVTOL的每一次起降與巡航，都對能源效率極為敏感。VBP165R64SFD憑藉其優異的36mΩ（@Vgs=10V）導通電阻（RDS(on)），在主逆變器、DC-DC轉換等關鍵高壓功率級，能顯著降低導通損耗，將更多電能高效轉化為推進動力。這直接轉化為更長的續航里程、更低的系統溫升與更優的整體能效，為綠色航空奠定堅實基礎。
高功率密度，應對緊湊嚴苛佈局
飛行器對重量與空間的要求極為苛刻。VBP165R64SFD採用經典的TO247封裝，在提供強大功率處理能力的同時，兼具優異的散熱性能與機械可靠性。其單N溝道配置與優化的封裝設計，讓電驅系統工程師能夠在有限的機載空間內，實現更高功率、更高效率的動力單元佈局，輕鬆應對下一代飛行器的集成化挑戰。
強勁穩健，保障絕對飛行安全
面對高空複雜電磁環境與飛行工況，VBP165R64SFD展現了全方位的穩健性：
650V的漏源電壓（VDS）與±30V的柵源電壓（VGS），為高壓母線應用提供了充裕的安全裕量，確保在浪湧及惡劣條件下穩定工作。
3.5V的標準閾值電壓（Vth），確保了驅動的可靠性及抗干擾能力。
高達64A的連續漏極電流（ID）承載能力，足以應對飛行器啟動、爬升及峰值功率的嚴酷考驗。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用創新的SJ_Multi-EPI（超級結多層外延）技術。該技術通過精密的電荷平衡與多層外延結構，在實現低導通電阻與低開關損耗之間取得了最佳平衡。這不僅提升了系統在高壓高頻下的工作效率，也降低了電磁干擾，使得電驅系統運行更平穩、更安靜，滿足航空級應用對性能與可靠性的極致追求。
VBP165R64SFD 關鍵參數速覽
封裝： TO247
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 650V
柵源電壓（VGS）： ±30V
閾值電壓（Vth）： 3.5V
導通電阻（RDS(on)）： 36 mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流（ID）： 64A
核心技術： SJ_Multi-EPI
選擇VBP165R64SFD，不僅是選擇了一顆高性能的功率MOSFET，更是為您的飛行器電驅系統選擇了：
更高的能源效率，延長飛行續航。
更穩健的功率處理，保障飛行安全。
更緊湊的動力設計，優化飛行器佈局。
面向未來的航空級技術平臺，領先一步。
以尖端功率器件，為低空飛行的澎湃動力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBP165R64SFD，為您的新一代eVTOL與電動飛行器設計注入強大動能！