在低空經濟與先進空中交通迅猛發展的今天，eVTOL等中大型飛行器的動力系統對功率密度、效率與可靠性提出了前所未有的嚴苛要求。作為高壓動力總成的電能轉換基石，650V級功率開關的高效、穩健與安全，直接決定了飛行器的性能極限、航程與安全等級。為此，我們傾力推出專為航空電推進系統優化的功率MOSFET解決方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBP165R70SFD，以卓越的航空級性能，助力飛行器能效與可靠性全面躍升。
極致效率，賦能超長航程
飛行器的每一瓦特電能都彌足珍貴，動力系統的轉換效率直接關乎航程與有效載荷。VBP165R70SFD憑藉其優異的28mΩ（@Vgs=10V）導通電阻（RDS(on)），在主逆變器、DC-DC升壓等關鍵高壓轉換環節，能顯著降低導通損耗，將電池能量高效轉化為強勁的推進動力。這直接轉化為更長的續航里程、更優的整機能效與更具競爭力的運營經濟性。
高功率密度，應對緊湊佈局
航空器對重量與體積有著極致的追求。VBP165R70SFD採用經典的TO247封裝，在提供強大功率處理能力的同時，兼顧了優異的散熱與機械可靠性。其單N溝道配置與優化的多外延技術，讓電驅設計師能夠在嚴格的重量與空間約束下，實現更高功率、更高效率的動力單元集成，輕鬆滿足下一代eVTOL的緊湊化、模組化設計要求。
強勁穩健，守護飛行安全
面對高空、振動及複雜的飛行工況，VBP165R70SFD展現了全方位的航空級穩健性：
650V的高漏源電壓（VDS）與 ±30V的柵源電壓（VGS），為高壓母線應用提供了充足的安全裕量，確保在浪湧及惡劣電氣環境下穩定工作。
3.5V的標準閾值電壓（Vth），確保了驅動的可靠性及抗干擾能力。
高達70A的連續漏極電流（ID）承載能力，足以應對飛行器啟動、爬升及峰值功率輸出的嚴酷考驗。
先進技術，鑄就卓越性能
內核採用創新的SJ_Multi-EPI技術。該技術通過結合超級結與多外延層的優勢，在實現低導通電阻、低柵極電荷（Qg）與優異開關特性之間取得了最佳平衡。這不僅顯著降低了開關損耗，提升了高頻下的轉換效率，也優化了電磁相容性（EMC）表現，使得系統工作更穩定、更安靜，為安全飛行奠定堅實的電氣基礎。
VBP165R70SFD 關鍵參數速覽
封裝： TO247
配置： Single N-Channel
漏源電壓（VDS）： 650V
柵源電壓（VGS）： ±30V
閾值電壓（Vth）： 3.5V
導通電阻（RDS(on)）： 28 mΩ @ Vgs=10V
連續漏極電流（ID）： 70A
核心技術： SJ_Multi-EPI
選擇VBP165R70SFD，不僅是選擇了一顆高性能的航空級功率MOSFET，更是為您的eVTOL動力系統選擇了：
更長的飛行航程，提升運營效能。
更緊湊的動力設計，優化整機佈局。
更可靠的系統保障，守護絕對安全。
面向未來的技術平臺，領航低空經濟。
以尖端航空功率器件，為低空飛行的澎湃動力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBP165R70SFD，為您的新一代eVTOL設計注入騰飛動能！