在低空經濟與城市空中交通的浪潮之巔，每一次安全起降與高效巡航都至關重要。面向中大型eVTOL飛行器的電推進系統，正從“實現飛行”向“高可靠、高功率密度飛行”跨越。然而，傳統功率器件在高壓、高頻及嚴苛工況下的效率損耗、熱管理與可靠性挑戰，如同隱形的“性能枷鎖”，制約著飛行器的續航與安全。直面這一核心需求，微碧半導體（VBSEMI）憑藉先進的寬禁帶半導體技術積澱，重磅推出VBM165R32S專用SJ_Multi-EPI MOSFET——這不僅是一顆功率開關，更是為eVTOL高壓電驅系統而生的“動力之心”。
行業之痛：高壓效率與航空級可靠性的雙重考驗
在eVTOL飛行器的高壓母線（如400-600V）電機驅動、DC-DC變換等關鍵節點，主功率器件的性能直接決定了系統的功率邊界與安全天花板。工程師們面臨嚴峻挑戰：
追求高壓下的高效率，需克服開關損耗與導通損耗的顯著增加。
確保航空級的極端可靠性，必須承受高空溫差、振動衝擊及持續高負荷的嚴苛考驗。
瞬態電壓尖峰與高頻開關對器件的動態特性及堅固性提出極限要求。
VBM165R32S的問世，正是為了打破這一邊界。
VBM165R32S：以航空級參數，定義性能標杆
微碧半導體深諳“差之毫釐，失之千裏”的航空準則，在VBM165R32S的每一處設計上都極致求精，旨在釋放電推進系統的全部潛能：
650V VDS與±30V VGS：為400V及以上高壓平臺提供充足的安全裕度，從容應對反電動勢及開關浪湧衝擊，是系統高壓穩健運行的基石。
先進的85mΩ導通電阻（RDS(on) @10V）：結合SJ_Multi-EPI技術，在650V高壓下實現優異的低導通損耗。這意味著更低的器件溫升與更高的系統效率，直接助力電驅系統在更寬工況下保持高效輸出，為延長續航貢獻核心價值。
32A持續電流能力（ID）：穩健的電流承載力，確保電機驅動在起飛、爬升等高峰值功率階段，以及巡航穩態運行時，均能提供平滑、可靠的功率輸出，應對空中動態負載遊刃有餘。
3.5V標準閾值電壓（Vth）：與行業主流高壓驅動電路完美相容，簡化驅動設計，提升系統集成度與可靠性。
TO220封裝：經典形式下的高可靠散熱保障
採用歷經市場嚴苛驗證的TO220封裝，VBM165R32S在提供卓越電氣隔離與機械強度的同時，確保了優異的導熱路徑與散熱相容性。便於與散熱器高效結合，實現緊湊空間內的強大熱管理能力，滿足eVTOL對功率密度與輕量化的雙重追求。
精准賦能：中大型eVTOL高壓電驅系統的理想基石
VBM165R32S的設計理念，完全圍繞eVTOL飛行器電推進系統的核心需求打造：
高壓高效，提升續航性能：優異的FOM（品質因數）有效降低系統損耗，提升功率轉換效率，直接轉化為更長的飛行航時或更高的載荷能力。
極致可靠，無懼空中挑戰：高耐壓、寬電壓範圍及穩健的封裝，確保器件在高空低溫、劇烈振動、連續高功率迴圈等極端工況下穩定工作，滿足航空應用對壽命與可靠性的嚴苛要求。
優化系統，助力輕量化設計：高性能允許採用更高開關頻率，優化濾波元件與散熱系統，助力實現電驅系統更高功率密度與更輕重量，為飛行器整體減重增效。
微碧半導體：以專業，護航低空未來
作為深耕先進功率半導體領域的品牌，微碧半導體（VBSEMI）始終聚焦前沿應用，以技術創新驅動客戶成功。我們不僅提供晶片，更提供基於深度場景理解的解決方案。VBM165R32S的背後，是我們對城市空中交通產業趨勢的精准洞察，以及對“讓電能轉換更高效、更安全”使命的堅定實踐。
選擇VBM165R32S，您選擇的不僅是一顆高壓高性能的MOSFET，更是一位值得信賴的航空級動力夥伴。它將成為您eVTOL電推進系統在邁向商業化、規模化進程中，確保性能領先與安全可靠的堅實基石，共同助力開啟高效、綠色的城市空中交通新時代。
即刻行動，攜手騰飛，共赴低空新紀元！
產品型號： VBM165R32S
品牌： 微碧半導體（VBSEMI）
封裝： TO220
配置： 單N溝道
核心技術： SJ_Multi-EPI MOSFET
關鍵性能亮點：
擊穿電壓（VDS）：650V
柵源電壓（VGS）：±30V
閾值電壓（Vth）：3.5V
導通電阻（RDS(on) @10V）：85mΩ（高壓低阻）
連續漏極電流（ID）：32A（航空級載流）