高鐵充電站儲能系統總拓撲圖
graph LR
%% 系統輸入與儲能部分
subgraph "電網接入與直流母線"
AC_GRID["高壓電網輸入 \n 10kV/35kV"] --> TRANSFORMER["降壓變壓器 \n 10kV/400V"]
TRANSFORMER --> AC_BUS["三相400VAC母線"]
AC_BUS --> PCS_IN["雙向變流器輸入"]
end
subgraph "電池儲能系統"
BATTERY_BANK["鋰離子電池組 \n 200-800VDC"] --> DC_BUS["高壓直流母線 \n 600-1000VDC"]
BATTERY_BANK --> BMS_MAIN["主BMS控制器"]
BMS_MAIN --> CELL_MONITOR["電池監控單元"]
end
%% 雙向DC/AC變流器(PCS)
subgraph "雙向DC/AC變流器(PCS)"
PCS_IN --> AC_DC_STAGE["AC/DC整流級"]
subgraph "主功率開關陣列"
IGBT_PCS1["VBP16I25 \n 650V/25A IGBT"]
IGBT_PCS2["VBP16I25 \n 650V/25A IGBT"]
IGBT_PCS3["VBP16I25 \n 650V/25A IGBT"]
IGBT_PCS4["VBP16I25 \n 650V/25A IGBT"]
end
AC_DC_STAGE --> IGBT_PCS1
AC_DC_STAGE --> IGBT_PCS2
AC_DC_STAGE --> IGBT_PCS3
AC_DC_STAGE --> IGBT_PCS4
IGBT_PCS1 --> DC_BUS
IGBT_PCS2 --> DC_BUS
IGBT_PCS3 --> DC_BUS
IGBT_PCS4 --> DC_BUS
subgraph "PCS控制與驅動"
PCS_CONTROLLER["PCS主控制器"] --> IGBT_DRIVER["IGBT驅動器"]
IGBT_DRIVER --> IGBT_PCS1
IGBT_DRIVER --> IGBT_PCS2
IGBT_DRIVER --> IGBT_PCS3
IGBT_DRIVER --> IGBT_PCS4
DC_BUS -->|電壓回饋| PCS_CONTROLLER
AC_BUS -->|電流檢測| PCS_CONTROLLER
end
end
%% 高壓DC/DC變換器
subgraph "高壓DC/DC隔離變換器"
DC_BUS --> DC_DC_IN["DC輸入濾波"]
DC_DC_IN --> LLC_PRIMARY["LLC諧振初級"]
subgraph "初級側高壓MOSFET"
MOSFET_DC1["VBL19R13S \n 900V/13A"]
MOSFET_DC2["VBL19R13S \n 900V/13A"]
end
LLC_PRIMARY --> MOSFET_DC1
LLC_PRIMARY --> MOSFET_DC2
MOSFET_DC1 --> GND_PRIMARY
MOSFET_DC2 --> GND_PRIMARY
LLC_PRIMARY --> HF_TRANSFORMER["高頻變壓器"]
HF_TRANSFORMER --> LLC_SECONDARY["LLC諧振次級"]
LLC_SECONDARY --> OUTPUT_RECT["同步整流"]
subgraph "次級側整流"
DIODE_ARRAY["肖特基二極體陣列"]
end
OUTPUT_RECT --> DIODE_ARRAY
DIODE_ARRAY --> DC_OUTPUT["直流輸出 \n 200-500VDC"]
DC_OUTPUT --> EV_CHARGER["電動車充電樁"]
end
%% 電池管理系統(BMS)
subgraph "電池管理與均衡系統"
BMS_MAIN --> BALANCING_CONTROL["均衡控制電路"]
subgraph "主動均衡開關陣列"
MOSFET_BAL1["VBA2307B \n -30V/-14A P-MOSFET"]
MOSFET_BAL2["VBA2307B \n -30V/-14A P-MOSFET"]
MOSFET_BAL3["VBA2307B \n -30V/-14A P-MOSFET"]
MOSFET_BAL4["VBA2307B \n -30V/-14A P-MOSFET"]
end
BALANCING_CONTROL --> MOSFET_BAL1
BALANCING_CONTROL --> MOSFET_BAL2
BALANCING_CONTROL --> MOSFET_BAL3
BALANCING_CONTROL --> MOSFET_BAL4
subgraph "負載開關控制"
AUX_POWER["輔助電源 \n 12V/5V"] --> LOAD_SWITCH["負載開關"]
LOAD_SWITCH --> COMM_MODULE["通信模組"]
LOAD_SWITCH --> DISPLAY_HMI["顯示與HMI"]
LOAD_SWITCH --> COOLING_FANS["散熱風扇"]
BMS_MAIN --> LOAD_SWITCH
end
CELL_MONITOR -->|單體電壓| BMS_MAIN
CELL_MONITOR -->|溫度監測| BMS_MAIN
CELL_MONITOR -->|均衡電流| BALANCING_CONTROL
end
%% 保護與監控系統
subgraph "保護與監測網絡"
subgraph "過壓保護"
OVP_CIRCUIT["過壓保護電路"] --> TVS_ARRAY["TVS管陣列"]
TVS_ARRAY --> DC_BUS
TVS_ARRAY --> AC_BUS
end
subgraph "過流保護"
CURRENT_SENSE["電流感測器"] --> OCP_COMP["過流比較器"]
OCP_COMP --> FAULT_LATCH["故障鎖存"]
FAULT_LATCH --> SHUTDOWN_SIGNAL["關斷信號"]
SHUTDOWN_SIGNAL --> IGBT_DRIVER
SHUTDOWN_SIGNAL --> DC_DC_CONTROLLER
end
subgraph "溫度監控"
THERMAL_SENSORS["NTC溫度感測器"] --> TEMP_MONITOR["溫度監控器"]
TEMP_MONITOR --> COOLING_CONTROL["冷卻控制"]
COOLING_CONTROL --> COOLING_FANS
COOLING_CONTROL --> LIQUID_PUMP["液冷泵"]
end
end
%% 連接與通信
PCS_CONTROLLER --> CAN_BUS["CAN匯流排"]
BMS_MAIN --> CAN_BUS
CAN_BUS --> STATION_CONTROL["站級控制系統"]
STATION_CONTROL --> CLOUD_PLATFORM["雲平臺"]
%% 樣式定義
style IGBT_PCS1 fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
style MOSFET_DC1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style MOSFET_BAL1 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style BMS_MAIN fill:#fce4ec,stroke:#e91e63,stroke-width:2px
隨著高鐵網路的高密度運營與綠色出行理念的深化,高鐵充電站儲能系統已成為保障穩定供電、實現峰穀調節與提升電能品質的關鍵設施。其功率轉換與電池管理單元作為能量調度與安全控制的核心,直接決定了系統的充放電效率、功率密度、長期可靠性及全生命週期成本。功率MOSFET與IGBT作為該系統中的關鍵開關器件,其選型品質直接影響系統效能、散熱設計、環境適應性及維護頻率。本文針對高端高鐵充電站儲能系統的高壓、大功率、長週期運行及嚴苛環境標準要求,以場景化、系統化為設計導向,提出一套完整、可落地的功率器件選型與設計實施方案。
一、選型總體原則:高壓高效與穩健可靠
功率器件的選型不應僅追求單一參數的優越性,而應在電壓耐受、導通損耗、開關性能、熱管理及長期可靠性之間取得平衡,使其與儲能系統的高壓直流母線、頻繁充放電切換及戶外環境精准匹配。
1. 電壓與電流裕量設計
依據系統直流母線電壓(常見600V-1000V),選擇耐壓值留有 ≥30% 裕量的器件,以應對電網波動、開關尖峰及感性負載反沖。同時,根據回路的連續與峰值電流,確保電流規格具有充足餘量,通常建議連續工作電流不超過器件標稱值的 50%~60%。
2. 低損耗與高頻化
損耗直接影響系統整體能效與溫升。傳導損耗與導通電阻 (R_{ds(on)}) 或飽和壓降 (V_{CEsat}) 成正比,應選擇相關參數更低的器件;開關損耗與柵極電荷 (Q_g) 及電容相關,低 (Q_g) 有助於提高開關頻率、降低動態損耗,並縮小磁性元件體積。
3. 封裝與散熱協同
根據功率等級、環境散熱條件選擇封裝。高壓大電流主回路宜採用熱阻低、機械強度高的封裝(如TO247、TO263);輔助電源或控制回路可選TO220F、TO252等封裝以優化空間。佈局時必須結合散熱器設計與風道規劃。
4. 可靠性與環境適應性
在戶外、溫差大、連續運行的充電站場景,設備需滿足長壽命與高可靠性要求。選型時應注重器件的工作結溫範圍、抗衝擊電流能力、抗潮濕及鹽霧腐蝕能力,優先選擇工業級或車規級標準產品。
二、分場景功率器件選型策略
高端高鐵充電站儲能系統主要功率回路可分為三類:雙向DC/AC變流器(PCS)、高壓DC/DC變換器、電池管理及輔助電源。各類回路工作特性不同,需針對性選型。
場景一:雙向DC/AC變流器主功率回路(額定功率50kW-150kW)
此回路是儲能系統的核心,要求器件具備高壓、高效、高可靠性,以應對頻繁的功率雙向流動。
- 推薦型號:VBP16I25(IGBT+FRD,TO247, V_{CE}=600V/650V, I_{CE}=25A)
- 參數優勢:
- 採用超結(SJ)技術,集成了快速恢復二極體(FRD),優化了反向恢復特性。
- 飽和壓降 (V_{CEsat}) 低至1.9V(@15V),傳導損耗可控。
- 耐壓高達650V,可直接用於600V母線系統,留有充足裕量。
- TO247封裝提供優異的散熱路徑和較高的機械可靠性。
- 場景價值:
- 適用於兩電平或三電平拓撲中的開關管,支持最高20kHz左右的開關頻率,在效率與開關應力間取得良好平衡。
- 集成FRD簡化了電路設計,提高了系統在逆變模式下的可靠性。
- 設計注意:
- 需搭配專用大電流IGBT驅動晶片,確保柵極驅動能力與保護功能(如退飽和檢測)。
- 必須安裝於定制散熱器上,並採用導熱矽脂以降低接觸熱阻。
場景二:高壓DC/DC升壓/降壓變換器(連接電池組與直流母線)
此回路負責電池組與高壓母線間的能量轉換,要求高效率以降低能量損耗,同時需承受較高的電壓應力。
- 推薦型號:VBL19R13S(Single-N MOSFET,TO263, V_{DS}=900V, I_{D}=13A, R_{ds(on)}=370mΩ)
- 參數優勢:
- 採用SJ_Multi-EPI技術,在900V超高耐壓下實現了較低的導通電阻(370mΩ)。
- TO263(D²PAK)封裝具有較低的封裝熱阻和較大的安裝底座,便於散熱器安裝。
- 柵極閾值電壓 (V_{th}) 為3.5V,驅動相容性好。
- 場景價值:
- 適用於LLC、移相全橋等高效隔離型DC/DC拓撲的初級側開關管,能有效處理高壓側開關動作。
- 高耐壓特性為系統提供更高的電壓安全裕度,適應電網瞬態過壓。
- 設計注意:
- 由於電壓等級高,PCB佈局需重點考慮爬電距離與電氣間隙。
- 開關節點需採用RC吸收或鉗位電路以抑制電壓尖峰。
場景三:電池管理系統(BMS)中的負載開關與均衡模組控制
此部分功率相對較小,但要求高集成度、低導通損耗以實現精密控制與低待機功耗。
- 推薦型號:VBA2307B(Single-P MOSFET,SOP8, V_{DS}=-30V, I_{D}=-14A, R_{ds(on)}=7mΩ @10V)
- 參數優勢:
- 採用溝槽(Trench)技術,導通電阻極低(僅7mΩ),導通壓降微乎其微。
- SOP8封裝體積小巧,適合高密度PCB佈局,實現多路獨立控制。
- 柵極閾值電壓 (V_{th}) 為-2.5V,可由低壓MCU或邏輯電路直接驅動,簡化設計。
- 場景價值:
- 可用於電池簇的主動均衡開關,或作為低壓輔助電源的路徑開關,其極低的 (R_{ds(on)}) 能最大限度減少控制回路的功率損耗。
- 小型化封裝支持在BMS從板上集成更多功能,提升系統集成度。
- 設計注意:
- 作為P-MOSFET用於高側開關時,需注意其驅動邏輯(低電平導通)。
- 多片並聯使用時需注意均流與佈局對稱性。
三、系統設計關鍵實施要點
1. 驅動與保護電路優化
- 高壓IGBT/MOSFET(如VBP16I25、VBL19R13S):必須使用隔離型驅動IC,提供足夠的驅動電流(如2A-5A)和負壓關斷能力,並集成VCE/VDS退飽和保護、米勒鉗位等功能。
- 低壓MOSFET(如VBA2307B):MCU直驅時,柵極串接電阻並考慮快關斷路徑,可在源柵極間加穩壓管防止柵極過壓。
2. 熱管理設計
- 分級散熱策略:
- TO247、TO263封裝的器件必須安裝在風冷或液冷散熱器上,並監控基板溫度。
- TO220F、TO252封裝的器件可根據電流大小選擇是否加裝小型散熱片。
- SOP8封裝的器件主要依靠PCB敷銅散熱,需保證足夠的銅箔面積。
- 環境適應:戶外機櫃需考慮防塵與腐蝕,散熱器表面可進行抗氧化處理。在極端高溫地區,需對器件電流進行進一步降額。
3. EMC與可靠性提升
- 雜訊抑制:
- 在高壓開關管兩端並聯RC吸收網路或TVS管,有效抑制關斷電壓尖峰。
- 主功率回路採用低寄生電感的疊層母排或雙面PCB佈局,減少環路電感。
- 防護設計:
- 所有柵極驅動回路靠近器件放置,並採用遮罩或絞線以增強抗干擾能力。
- 在直流母線輸入端設置壓敏電阻和氣體放電管,進行多級浪湧防護。
四、方案價值與擴展建議
核心價值
1. 高可靠性與長壽命:針對戶外嚴苛環境選用的高耐壓、工業級器件,配合穩健的熱設計與保護,確保系統7×24小時穩定運行,壽命超過10年。
2. 高效率能源轉換:通過優化選型(如低VCEsat IGBT、低Rds(on) MOSFET),系統峰值效率可達97%以上,顯著降低運營能耗與散熱成本。
3. 高功率密度設計:採用TO263、SOP8等優化封裝,結合高效拓撲,有助於縮小設備體積,適應充電站緊湊的佈局要求。
優化與調整建議
- 功率等級擴展:若單機功率大於150kW,可考慮採用多器件並聯或選用電流等級更高的模組化產品(如IGBT模組)。
- 技術路線演進:在追求超高效率與功率密度的場景,可評估碳化矽(SiC)MOSFET在高壓DC/DC或PCS中的應用,以進一步提升開關頻率與效率。
- 智能化集成:對於BMS等控制部分,可選用集成驅動與保護功能的智能功率開關(IPS),進一步簡化設計並提升可靠性。
- 環境強化:對於沿海等高鹽霧地區,建議對功率板進行三防漆塗覆處理,並對散熱器進行特殊表面處理。
功率器件的選型是高端高鐵充電站儲能系統功率硬體設計的核心環節。本文提出的場景化選型與系統化設計方法,旨在實現高效率、高可靠性、高功率密度與長壽命的最佳平衡。隨著寬禁帶半導體技術的成熟與成本下降,未來在更高頻、更高壓的應用中,SiC與GaN器件將帶來革命性的性能提升。在軌道交通能源基礎設施持續升級的背景下,優秀的硬體設計是構建安全、高效、綠色充電網路的關鍵基石。
詳細拓撲圖
雙向DC/AC變流器(PCS)詳細拓撲
graph TB
subgraph "三相逆變/整流橋臂"
AC_INPUT["三相400VAC輸入"] --> FILTER_IN["輸入濾波器"]
FILTER_IN --> BRIDGE_LEG_A["A相橋臂"]
FILTER_IN --> BRIDGE_LEG_B["B相橋臂"]
FILTER_IN --> BRIDGE_LEG_C["C相橋臂"]
subgraph "A相上下管"
Q_AH["VBP16I25 \n 上管IGBT"]
Q_AL["VBP16I25 \n 下管IGBT"]
end
subgraph "B相上下管"
Q_BH["VBP16I25 \n 上管IGBT"]
Q_BL["VBP16I25 \n 下管IGBT"]
end
subgraph "C相上下管"
Q_CH["VBP16I25 \n 上管IGBT"]
Q_CL["VBP16I25 \n 下管IGBT"]
end
BRIDGE_LEG_A --> Q_AH
BRIDGE_LEG_A --> Q_AL
BRIDGE_LEG_B --> Q_BH
BRIDGE_LEG_B --> Q_BL
BRIDGE_LEG_C --> Q_CH
BRIDGE_LEG_C --> Q_CL
Q_AH --> DC_BUS_P["直流母線正極"]
Q_BH --> DC_BUS_P
Q_CH --> DC_BUS_P
Q_AL --> DC_BUS_N["直流母線負極"]
Q_BL --> DC_BUS_N
Q_CL --> DC_BUS_N
end
subgraph "IGBT驅動與保護"
DRIVER_IC["隔離驅動IC"] --> GATE_DRIVER["柵極驅動電路"]
GATE_DRIVER --> Q_AH
GATE_DRIVER --> Q_AL
GATE_DRIVER --> Q_BH
GATE_DRIVER --> Q_BL
GATE_DRIVER --> Q_CH
GATE_DRIVER --> Q_CL
subgraph "保護功能"
DESAT_DETECT["退飽和檢測"] --> FAULT_OUT["故障輸出"]
MILLER_CLAMP["米勒鉗位"] --> GATE_DRIVER
UNDERVOLTAGE["欠壓鎖定"] --> FAULT_OUT
end
PCS_CONTROLLER["PCS控制器"] --> DRIVER_IC
DESAT_DETECT --> Q_AH
DESAT_DETECT --> Q_BH
DESAT_DETECT --> Q_CH
FAULT_OUT --> PCS_CONTROLLER
end
subgraph "吸收與緩衝電路"
RCD_SNUBBER["RCD緩衝電路"] --> Q_AH
RCD_SNUBBER --> Q_BH
RCD_SNUBBER --> Q_CH
DC_BUS_P --> BUS_CAP["直流母線電容"]
DC_BUS_N --> BUS_CAP
end
style Q_AH fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
高壓DC/DC變換器詳細拓撲
graph LR
subgraph "LLC諧振初級側"
DC_IN["高壓直流輸入 \n 600-1000V"] --> INPUT_CAP["輸入電容"]
INPUT_CAP --> HALF_BRIDGE["半橋電路"]
subgraph "半橋開關管"
Q_HB1["VBL19R13S \n 900V MOSFET"]
Q_HB2["VBL19R13S \n 900V MOSFET"]
end
HALF_BRIDGE --> Q_HB1
HALF_BRIDGE --> Q_HB2
Q_HB1 --> SW_NODE["開關節點"]
Q_HB2 --> GND_PRIMARY
SW_NODE --> RESONANT_TANK["LLC諧振腔"]
RESONANT_TANK --> TRANSFORMER_PRI["變壓器初級"]
TRANSFORMER_PRI --> HALF_BRIDGE_CENTER["半橋中點"]
end
subgraph "高頻變壓器"
TRANSFORMER_PRI --> TRANSFORMER_CORE["磁芯與繞組"]
TRANSFORMER_CORE --> TRANSFORMER_SEC["變壓器次級"]
end
subgraph "次級同步整流"
TRANSFORMER_SEC --> RECTIFICATION["全波整流"]
subgraph "同步整流管"
SR_D1["同步整流MOSFET"]
SR_D2["同步整流MOSFET"]
end
RECTIFICATION --> SR_D1
RECTIFICATION --> SR_D2
SR_D1 --> OUTPUT_INDUCTOR["輸出電感"]
SR_D2 --> OUTPUT_INDUCTOR
OUTPUT_INDUCTOR --> OUTPUT_CAP["輸出電容"]
OUTPUT_CAP --> DC_OUT["直流輸出 \n 200-500V"]
end
subgraph "控制與驅動"
LLC_CONTROLLER["LLC控制器"] --> GATE_DRIVE_PRI["初級驅動"]
GATE_DRIVE_PRI --> Q_HB1
GATE_DRIVE_PRI --> Q_HB2
SYNC_RECT_CONTROLLER["同步整流控制器"] --> GATE_DRIVE_SEC["次級驅動"]
GATE_DRIVE_SEC --> SR_D1
GATE_DRIVE_SEC --> SR_D2
DC_OUT -->|電壓回饋| LLC_CONTROLLER
OUTPUT_INDUCTOR -->|電流檢測| SYNC_RECT_CONTROLLER
end
subgraph "吸收與保護"
RC_SNUBBER["RC吸收電路"] --> Q_HB1
RC_SNUBBER --> Q_HB2
TVS_PROTECTION["TVS保護"] --> GATE_DRIVE_PRI
TVS_PROTECTION --> GATE_DRIVE_SEC
end
style Q_HB1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style SR_D1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
BMS均衡與負載管理拓撲
graph TB
subgraph "電池組與監控"
BATTERY_PACK["鋰離子電池組"] --> CELL_1["單體電池1"]
BATTERY_PACK --> CELL_2["單體電池2"]
BATTERY_PACK --> CELL_3["單體電池3"]
BATTERY_PACK --> CELL_4["單體電池4"]
CELL_1 --> VOLTAGE_SENSE["電壓檢測電路"]
CELL_2 --> VOLTAGE_SENSE
CELL_3 --> VOLTAGE_SENSE
CELL_4 --> VOLTAGE_SENSE
CELL_1 --> TEMP_SENSE["溫度感測器"]
CELL_2 --> TEMP_SENSE
CELL_3 --> TEMP_SENSE
CELL_4 --> TEMP_SENSE
VOLTAGE_SENSE --> BMS_CPU["BMS主控CPU"]
TEMP_SENSE --> BMS_CPU
end
subgraph "主動均衡電路"
BMS_CPU --> BALANCING_LOGIC["均衡控制邏輯"]
subgraph "均衡開關矩陣"
SW_BAL1["VBA2307B P-MOSFET"]
SW_BAL2["VBA2307B P-MOSFET"]
SW_BAL3["VBA2307B P-MOSFET"]
SW_BAL4["VBA2307B P-MOSFET"]
end
BALANCING_LOGIC --> SW_BAL1
BALANCING_LOGIC --> SW_BAL2
BALANCING_LOGIC --> SW_BAL3
BALANCING_LOGIC --> SW_BAL4
SW_BAL1 --> BALANCING_RES["均衡電阻"]
SW_BAL2 --> BALANCING_RES
SW_BAL3 --> BALANCING_RES
SW_BAL4 --> BALANCING_RES
BALANCING_RES --> CELL_1
BALANCING_RES --> CELL_2
BALANCING_RES --> CELL_3
BALANCING_RES --> CELL_4
end
subgraph "智能負載開關"
BMS_CPU --> LOAD_CONTROL["負載控制介面"]
subgraph "多路負載開關"
LOAD_SW1["VBG3638負載開關"]
LOAD_SW2["VBG3638負載開關"]
LOAD_SW3["VBG3638負載開關"]
LOAD_SW4["VBG3638負載開關"]
end
LOAD_CONTROL --> LOAD_SW1
LOAD_CONTROL --> LOAD_SW2
LOAD_CONTROL --> LOAD_SW3
LOAD_CONTROL --> LOAD_SW4
AUX_12V["12V輔助電源"] --> LOAD_SW1
AUX_12V --> LOAD_SW2
AUX_12V --> LOAD_SW3
AUX_12V --> LOAD_SW4
LOAD_SW1 --> FAN_CONTROL["風扇控制"]
LOAD_SW2 --> COMM_INTERFACE["通信介面"]
LOAD_SW3 --> DISPLAY_PANEL["顯示面板"]
LOAD_SW4 --> SAFETY_CIRCUIT["安全電路"]
end
subgraph "保護功能"
OVERVOLTAGE["過壓保護"] --> SHUTDOWN["關斷控制"]
UNDERVOLTAGE["欠壓保護"] --> SHUTDOWN
OVERTEMP["過溫保護"] --> SHUTDOWN
OVERCURRENT["過流保護"] --> SHUTDOWN
SHUTDOWN --> LOAD_SW1
SHUTDOWN --> LOAD_SW2
SHUTDOWN --> LOAD_SW3
SHUTDOWN --> LOAD_SW4
SHUTDOWN --> SW_BAL1
SHUTDOWN --> SW_BAL2
SHUTDOWN --> SW_BAL3
SHUTDOWN --> SW_BAL4
end
style SW_BAL1 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style LOAD_SW1 fill:#fce4ec,stroke:#e91e63,stroke-width:2px