TK2R4E08QM,S1X-VB 是 VBsemi 推出的採用 SGT(遮罩柵溝槽)技術的高性能 N 溝道功率 MOSFET。該器件採用 TO-220 封裝,具備極低的導通電阻(2mΩ @ VGS=10V)和高達 340A 的漏極電流能力,同時耐壓達到 100V。其優異的導通特性與低開關損耗使其適用於高功率、高效率要求的電源轉換系統。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | 2(mΩ) | SGT |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | SGT |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | SGT |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | SGT |
1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:單 N 通道
3. **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V
4. **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:340A
8. **技術**:SGT 技術
領域應用
通信電源領域:適用於通信基站電源、伺服器冗餘電源、刀片式高頻開關電源系統,低內阻與高電流密度可顯著提升電源效率與功率密度。
工業設備領域:用於工業焊機、大功率 UPS、鐳射驅動電源等設備,在高頻大電流工況下保持低發熱,提升設備連續工作穩定性。
電動工具領域:適配無刷電鑽、角磨機、園林機械等大功率鋰電工具,滿足大電流暫態放電需求,延長工具續航與使用壽命。
電力電子領域:應用於高頻整流裝置、有源功率因數校正模組、工業特種電源,相容高壓大電流開關場景,提升系統能效。
模組應用
高頻開關電源模組:作為主功率開關管用於伺服器 CRPS 電源、基站通信電源,降低導通與開關損耗,實現更高效率與更小體積。
無刷電機驅動模組:用於鋰電電動工具電機控制、小型工業風機驅動,大電流承載能力保證電機強勁輸出,SGT 工藝提升開關速度。
同步整流模組:應用於大功率低壓大電流輸出電源,大幅提升整流效率,減少發熱,適配高功率密度電源設計。
PFC 升壓模組:用於有源功率因數校正電路,提升電源 PF 值與轉換效率,滿足工業與通信電源的能效標準。
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