ISC012N04LM6ATMA1-VB 是一款採用 DFN8（5×6）緊湊封裝的 N 溝道功率 MOSFET，基於先進的 Trench 溝槽技術 製造。該器件在 40V 的漏源電壓下實現了極低的導通電阻（典型值 0.8mΩ @ VGS=10V），並支持高達 180A 的連續漏極電流，使其成為高電流、低損耗功率系統的理想選擇。其寬廣的工作溫度範圍（-55°C 至 150°C）和優異的抗浪湧能力，能夠滿足汽車級及工業級應用的嚴苛要求。無論是用於電池保護、同步整流還是電機驅動，ISC012N04LM6ATMA1-VB 都能在有限 PCB 空間內提供卓越的功率密度與熱性能。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | 1.2mΩ | 0.8mΩ | Trench |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
詳細參數說明：
- **封裝類型**：DFN8 (5x6)
- **配置**：單極 N 通道
- **漏源電壓（VDS）**：40V
- **柵極源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V：1.2mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V：0.8mΩ
- **最大漏極電流（ID）**：180A
- **技術**：Trench 技術
- **工作溫度範圍**：-55°C 至 150°C
- **電流承載能力**：支持最大 120A 的電流，適合高負載應用。
典型應用領域
汽車電子：電動助力轉向（EPS）、電池切斷開關、車載 DC-DC 轉換器
電源管理系統：伺服器與通信電源、高功率密度充電器、負載點電源（POL）
電池保護：多串鋰電池保護板（BMS）、電動工具、可攜式儲能電源
工業控制：無人機/AGV 驅動、步進電機驅動器、電動叉車控制器
推薦應用模組
同步整流模組（低壓大電流 DC-DC 變換器）
高側/低側電池保護開關模組（放電過流保護）
H 橋或三相電機驅動功率級模組（無刷直流電機）
熱插拔與電子保險絲模組（伺服器背板保護）
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