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IRF9952TRPBFXTMA1-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
IRF9952TRPBFXTMA1-VB 是一款面向低壓功率開關與半橋驅動場景深度優化的 Dual N+P 互補 MOSFET,採用 Trench 工藝,兼具低開關損耗與高可靠性。SOP8 封裝在散熱性能與占板面積之間取得良好平衡。±30V 耐壓、±8A 載流能力、N 溝道 18mΩ / P 溝道 40mΩ 導通電阻的組合,使其成為低壓 Buck/Boost 轉換、同步整流及電機驅動等應用的理想選型,尤其適合高密度、大批量設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
產品參數
(選型決策要點)
- VDS=±30V:適配 5V/12V/24V 系統,正負耐壓對稱設計,滿足 N+P 互補拓撲對反向電壓裕量的需求,降低雪崩擊穿風險。
- VGS=±20V:相容 1.8V~12V 邏輯電平,可直連 MCU/PMIC,省去電平轉換電路,簡化驅動設計。
- Vth=1.6V / -1.7V(典型):N/P 通道閾值匹配良好,低壓驅動時仍能充分導通,適合電池電壓衰減及低電壓軌場景。
- RDS(on)=18mΩ / 40mΩ @ VGS=10V:N 溝道超低導通電阻顯著降低滿載溫升,P 溝道對稱優化,減少半橋電路導通損耗。
- RDS(on)=24mΩ / 50mΩ @ VGS=4.5V:低壓驅動下仍保持低阻特性,支持 3.3V/5V 邏輯直接驅動。
- ID=±8A:正負向電流容量充裕,可應對多數便攜、通信及車載輔助負載的峰值需求。
- 封裝 SOP8:雙管集成節省 PCB 面積,寄生參數低,支持高頻開關,同時便於自動化貼裝。

領域和模塊應用:


領域和模組應用
(決策價值分析)
- 同步 Buck 轉換器:N+P 互補結構適合高邊 P-MOS 與低邊 N-MOS 組合,簡化驅動電路,重載效率可提升 2~3%,利於模組小型化。
- 半橋 / 全橋驅動器:N/P 配對閾值與內阻匹配,減少交越失真,PWM 開關損耗低,電機運轉更平滑,控制器溫升明顯下降。
- 電池保護與電源路徑管理:低內阻減少保護板自發熱,正負雙向導通能力實現充電/放電雙路控制,回應快速可靠。
- 可攜式設備電源管理:低導通壓降提升升降壓效率,延長續航,SOP8 雙管集成助力超薄設計。
- LED 照明驅動:低導通電阻減少恒流源功耗,支持多路並聯,提升整燈光效。
- 低壓電機驅動:適合 5V/12V 直流有刷或無刷電機,PWM 開關損耗低,耐用性強。
- DC-DC 模組電源:在同步整流、有源鉗位等拓撲中替代分離器件,降低物料成本與占板空間。選型總結:IRF9952TRPBFXTMA1-VB 在雙通道性能匹配、封裝集成度和系統成本之間實現均衡,是 30V 級 N+P 互補開關應用的高性價比通用選擇,特別適合對空間、熱耗及驅動簡化有嚴格要求的專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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