TPH2R306NH1,LQ-VB - VBsemi MOSFETs製造商

TPH2R306NH1,LQ-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
TPH2R306NH1,LQ-VB 是大電流、超低導通電阻的 N 溝道功率 MOS 管，採用 DFN8(5X6) 封裝，60V 耐壓，180A 載流能力。SGT 工藝加持，10V 驅動下導通電阻低至 1.7mΩ，發熱極小、效率出色。門極驅動範圍寬達 ±20V，相容 2.5V/4.5V/10V 等多種邏輯電平，適合高性能電源轉換與電機驅動應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		3V	180A	3(mΩ)	2(mΩ)	1.7(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		3V	180A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		3V	180A		SGT

產品參數
- 耐壓：60V
- 驅動電壓：±20V
- 開啟閾值：3V
- 導通電阻：3mΩ @VGS=2.5V，2mΩ @VGS=4.5V，1.7mΩ @VGS=10V
- 最大電流：180A
- 封裝：DFN8(5X6)
- 技術：SGT

領域和模塊應用：

領域和模組應用
- DC-DC 轉換器 → 同步整流，低壓降高效率
- 伺服器/通信電源 → 大電流承載，穩定可靠
- 電機驅動與控制 → 快速開關，回應靈敏
- 電池充放電保護 → 低內阻減少損耗，延長續航
- 電動工具、車載設備 → 抗衝擊，耐高溫，功率裕量大
- 功率逆變器 → 高頻高效，降低溫升
- 電源管理模組 → 緊湊封裝，高功率密度設計

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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