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NVTFS4C308NTAG-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
NVTFS4C308NTAG-VB 是一款面向低壓大功率開關場景深度優化的 Single N-MOS,Trench 工藝兼顧超低導通損耗與快速開關特性,DFN8(3X3) 封裝在緊湊占板面積與出色散熱能力之間實現理想平衡。30V 耐壓、60A 載流能力、4.8mΩ 導通電阻的組合,使其成為替代傳統 DPAK 或 SOP-8 封裝器件的性能升級之選,尤其適合高功率密度、高可靠性要求的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.46V 60A 4.8(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.46V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.46V 60A Trench
產品參數
(選型決策要點)
VDS=30V:適配 5V/12V/24V 系統,留足尖峰電壓裕量,降低雪崩擊穿風險。
VGS=±20V:相容 1.8V~12V 邏輯電平,可直連 MCU/PMIC,省去電平轉換電路。
Vth=1.46V(典型):低壓驅動時仍能進入充分導通區,特別適合電池電壓衰減場景。
RDS(on)=4.8mΩ @ VGS=10V:超低導通電阻,滿載溫升大幅降低,可顯著減少散熱銅箔面積。
ID=60A:連續電流餘量充裕,能應對大功率負載的衝擊電流與持續輸出需求。
封裝 DFN8(3X3):體積小、寄生參數低,支持高頻開關,同時節省 PCB 面積並優化熱路徑。

領域和模塊應用:


領域和模組應用
(決策價值分析)
大功率 DC-DC 轉換器:同步整流中替代肖特基或傳統 MOS,重載效率提升顯著,利於模組小型化。
電機驅動控制:超低內阻與低開關損耗使 PWM 驅動更高效,控制器溫升明顯下降。
電池保護模組:60A 大電流能力滿足高倍率放電場景,快速回應實現微秒級過流/短路關斷。
伺服器與通信電源:低壓大電流匯流排切換場景下,低導通壓降減少功率損耗,提升系統整體能效。
電動工具與車載輔助負載:寬耐壓餘量與大電流能力適配 12V/24V 動力系統,可靠應對堵轉及峰值負載。
功率負載開關:低 RDS(on) 降低通態壓降,適合熱插拔、電源路徑管理等高連續電流應用。
LED 驅動與工業控制:低導通損耗減少恒流源功耗,支持多路並聯,提升系統穩定性和功率密度。選型總結:NVTFS4C308NTAG-VB 在超低導通電阻、大電流承載能力和緊湊封裝之間實現優越平衡,是 30V 低壓大功率開關類應用的高性能通用選擇,特別適合對效率、熱耗和空間有嚴格要求的專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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