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NTTFS5D6N08XLTAG-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
NTTFS5D6N08XLTAG-VB 是一款面向中低壓功率開關場景優化的 Single N-MOS,採用 SGT(Split Gate Trench)工藝,在導通損耗與開關速度之間實現出色平衡。DFN8(3X3) 封裝具備低熱阻和小占板面積優勢,適合高密度電源設計與自動化貼裝。80V 耐壓、56A 載流能力、7.5mΩ 導通電阻的組合,使其成為通信電源、電動工具、電池保護及 DC-DC 轉換器等應用的可靠功率級選型。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A 11.5(mΩ) 7.5(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A SGT
產品參數
(選型決策要點)
VDS=80V:適配 24V/36V/48V 系統,為電機瞬態反電動勢和開關尖峰提供充足電壓裕量,提升系統魯棒性。
VGS=±20V:相容 5V~12V 邏輯電平驅動,可直接連接 MCU/PMIC 或專用柵極驅動器,簡化週邊設計。
Vth=3V(典型):閾值電壓適中,兼顧抗干擾能力與充分導通特性,適用工業級 PWM 驅動。
RDS(on)=7.5mΩ @ VGS=10V:超低導通電阻,重載條件下導通損耗顯著降低,可縮減散熱器尺寸或銅箔面積。
RDS(on)=11.5mΩ @ VGS=4.5V:在低壓邏輯驅動下仍保持低導通阻抗,適合 5V 驅動平臺。
ID=56A:連續電流能力強勁,覆蓋中大功率負載的峰值與持續電流需求,餘量充裕。
封裝 DFN8(3X3):低寄生電感與低熱阻,支持高頻開關,同時節省 PCB 面積,優化功率密度。

領域和模塊應用:


領域和模組應用
(決策價值分析)
DC-DC 轉換器:同步整流應用中替代傳統肖特基二極體,重載效率可提升 2~3%,助力模組小型化。
電池保護與 BMS:快速開關與低導通內阻降低保護板自發熱,80V 耐壓適配多節鋰電池串拓撲。
低壓電機驅動:PWM 開關損耗低,電機運行更平穩,控制器溫升明顯下降,適合電動工具與機器人。
通信與伺服器電源:48V 輸入母線轉換級的高頻功率開關,SGT 工藝帶來低柵荷與低振鈴。
車載輔助電源:寬安全工作區與 56A 大電流能力,契合 24V/48V 車載匯流排系統要求。
LED 照明驅動:低導通壓降減少恒流源功耗,支持多路並聯,提升整燈效率與可靠性。
工業控制模組:邏輯電平驅動相容 PLC/單片機,簡化介面電路,具備高抗干擾能力。選型總結:NTTFS5D6N08XLTAG-VB 在耐壓等級、導通電阻、電流能力和封裝熱性能之間實現高規格平衡,是中低壓高功率密度開關應用的理想選擇,尤其適合對效率與空間有嚴格要求的電源、電機及電池管理系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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