SISS176LDN-T1-UE3-VB - VBsemi MOSFETs製造商

SISS176LDN-T1-UE3-VB 產品詳細

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參數
應用
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產品簡介：

**產品簡介**
您正在設計一款高功率密度DC-DC轉換器，PCB面積有限，卻要承受數十安培的電流衝擊。傳統MOS管要麼封裝太大，要麼導通損耗過高，讓散熱設計捉襟見肘。VBsemi SISS176LDN-T1-UE3-VB 正是為解決這一難題而生——它採用先進的SGT技術，將80V耐壓、51A連續電流能力和低至9.5mΩ的導通電阻，集成在DFN8(3X3)的緊湊封裝中，讓大功率電源設計兼顧效率與尺寸。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	80V		1.7V	51A		12.5(mΩ)	9.5(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	80V		1.7V	51A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	80V		1.7V	51A		SGT

**產品參數（實力數據）**
- 耐壓 80V，覆蓋48V系統及工業應用安全餘量
- 門極驅動範圍 ±20V，相容多種邏輯電平驅動
- 閾值電壓 1.7V，低壓控制信號可直接驅動
- 導通電阻 9.5mΩ（10V驅動時），12.5mΩ（4.5V驅動時），損耗極低
- 最大電流 51A，小封裝釋放大能量
- 技術架構 SGT（遮罩柵溝槽），顯著降低柵極電荷與開關損耗

領域和模塊應用：

**領域和模組應用（真實落地場景）**
- **電動工具/電機驅動** – 作為高邊或低邊開關管，承受啟動大電流衝擊，並提供低發熱的持續運行表現。
- **DC-DC降壓模組** – 在同步整流拓撲中替代肖特基二極體，提升轉換效率，尤其適用於高電流輸出場合。
- **電池管理系統（BMS）** – 用於充放電回路通斷控制，51A高載流能力滿足動力電池組需求。
- **UPS/伺服器電源** – 利用低導通電阻和快速開關特性，減少功率級損耗，提高系統整體能效。
- **汽車電子/車載電源** – 80V耐壓應對車載瞬態過壓，為12V/24V/48V電氣系統提供可靠功率開關。
- **電動自行車/平衡車控制器** – 在有限的控制器空間內實現大電流驅動，改善騎行體驗和續航表現。**一句話總結：SISS176LDN-T1-UE3-VB 不是一顆普通的MOS管，它是您高功率密度設計的“性能引擎”和“散熱利器”。**

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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