SI2301W-TP-VB - VBsemi MOSFETs製造商

SI2301W-TP-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
還在為負壓電源管理功耗高、板級空間受限而煩惱？VBsemi SI2301W-TP-VB 來解憂！這顆 SC70-3 封裝的 P-MOS 管，體積比米粒還小，卻能承受 -3.1A 連續電流，2.5V 驅動下導通內阻低至 100mΩ，4.5V 驅動時進一步降至 80mΩ，開關損耗與導通損耗俱佳。Trench 工藝賦予其快速開關與低柵極電荷特性，-20V 耐壓從容應對便攜設備、電池管理及負載開關等典型應用，是低壓系統設計的“緊湊型能效專家”。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A	100(mΩ)	80(mΩ)		Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A		Trench

產品參數
耐壓等級：-20V（覆蓋通用負壓開關場景）
驅動範圍：±12V（相容 2.5V/4.5V 邏輯驅動）
開啟門檻：-0.6V（低壓信號即可可靠開啟）
導通內阻：100mΩ @ VGS=-2.5V；80mΩ @ VGS=-4.5V（傳導損耗低）
電流能力：-3.1A（小封裝大電流）
封裝：SC70-3（超小體積，適合高密度貼裝）
技術：Trench（低損耗、快開關）

領域和模塊應用：

領域和模組應用 —— 六大精簡場景，一顆搞定
便攜電源：移動電源、智能穿戴供電開關，壓降低、發熱小
電池保護：負端控制快速關斷，守護電芯安全
負載開關：外設供電管理，待機功耗更低
DC-DC 轉換：輔助降壓/反壓電路，提升轉換效率
LED 照明：恒流/調光開關，回應迅速無閃爍
小型電機驅動：風扇、振動馬達，調速靈活更順滑SI2301W-TP-VB —— 小尺寸，強性能，讓您的低壓負控設計更遊刃有餘！

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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