2SJ576APTL-E-VB - VBsemi MOSFETs製造商

2SJ576APTL-E-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
2SJ576APTL-E-VB 是一款為低功耗、高密度開關場景深度優化的 Single P-MOS，Trench 工藝兼顧低開關損耗與高可靠性，SC70-3 封裝在散熱與占板面積之間取得極佳平衡。60V 耐壓、-0.135A 載流能力、4000mΩ 導通電阻的組合，使其成為信號開關、模擬負載切換及電池監測等小電流應用的理想選型，尤其適合超小型、低功耗便攜設備。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		5000(mΩ)	4000(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

產品參數
（選型決策要點）
VDS=-60V：適配 12V/24V/48V 系統，耐壓餘量充足，降低雪崩擊穿風險。
VGS=±20V：相容 1.8V~12V 邏輯電平，可直連 MCU/PMIC，省去電平轉換電路。
Vth=-1.7V（典型）：低壓驅動時仍能進入充分導通區，適合電池電壓衰減場景。
RDS(on)=4000mΩ @ VGS=10V：導通阻抗匹配小電流信號通路，有效限制靜態功耗，適合高阻負載驅動。
ID=-0.135A：連續電流等級滿足多數信號級開關需求，適配低功耗系統架構。
封裝 SC70-3：超小體積、低寄生參數，支持高密度布板，顯著節省 PCB 面積和貼裝成本。

領域和模塊應用：

領域和模組應用
（決策價值分析）
可攜式設備電源管理：低靜態損耗提升待機續航，超小封裝助力超薄設計。
電池保護模組：快速回應特性確保過流/短路時微秒級關斷，低漏電減少保護板自發熱。
信號電平轉換：邏輯電平直驅簡化週邊，適合 I/O 口開關、電平匹配等低電流應用。
消費電子控制模組：適合智能穿戴、TWS 耳機、遙控器等大批量低成本產品。
LED 照明輔助驅動：低導通壓降減少恒流源功耗，支持微小電流精密控制。
DC-DC 轉換器輔助電路：用於軟啟動、負載斷開或欠壓檢測，提升系統可靠性。
車載輔助電子：耐壓餘量和寬溫工作範圍適配 12V/24V 車載匯流排，可靠度高。選型總結：2SJ576APTL-E-VB 在超小封裝、耐壓裕量和低功耗特性間實現均衡，是 60V 低壓小信號開關類應用的高性價比通用選擇，特別適合對空間和功耗有嚴格要求的專案。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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