SIHH070N60EF-T1GE3-VB - VBsemi MOSFETs製造商

SIHH070N60EF-T1GE3-VB 產品詳細

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產品簡介：

還在為高壓系統功率損耗大、散熱設計難而煩惱？VBsemi SIHH070N60EF-T1GE3-VB 來解憂！這顆 DFN8X8 封裝的 N-MOS 管，採用 SJ_Multi-EPI 超級結工藝，額定耐壓高達 650V，導通內阻典型值僅 160mΩ，兼具低損耗與高可靠性。20A 的大電流能力輕鬆應對工業電源、光伏逆變等高功率場景，是高壓電源工程師的“效率利器”。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A			160(mΩ)	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8X8	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

耐壓等級：650V（高壓應用，餘量充足）
驅動範圍：±30V（相容 10V~20V 寬範圍柵極驅動）
開啟門檻：3.5V（標準邏輯電平可靠開啟）
導通內阻：160mΩ @ 10V（傳導損耗低，發熱小）
大電流能力：20A（DFN8X8 封裝實現高功率密度）
封裝：DFN8X8（低熱阻，適合高密度功率設計）
技術：SJ_Multi-EPI 超級結（優值優異，開關與導通性能均衡）

領域和模塊應用：

七大熱門場景，一顆搞定
開關電源：高效 LLC 半橋/全橋拓撲，降低整機溫升
光伏逆變器：MPPT 升壓與逆變級，提升系統轉換效率
充電樁模組：高壓 DC-DC 變換，助力大功率快充
電機驅動：工業變頻器、伺服驅動，抗衝擊、耐高壓
UPS 不間斷電源：線上式拓撲功率級，保障供電可靠
新能源汽車輔助：車載 DC-DC、OBC 高壓側，寬溫域穩定運行
工業控制：高壓繼電器替代、浪湧保護，增強系統魯棒性SIHH070N60EF-T1GE3-VB
高壓平臺，低耗穩行，讓您的功率設計更從容！

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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