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SIHH21N65E-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SIHH21N65E-T1-GE3-VB 是一款面向高壓功率開關場景優化的 Single N-MOS,採用 SJ_Multi-EPI 超結工藝,兼顧低導通損耗與高可靠性。DFN8X8 封裝在散熱能力與功率密度之間取得良好平衡。650V 耐壓、20A 載流能力、160mΩ 導通電阻的組合,使其成為高壓電源、工業控制及新能源應用的理想功率開關選件,尤其適合對效率與溫升有嚴格要求的系統設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A 160(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8X8 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI

VDS=650V:適配三相整流、光伏逆變、充電樁等高壓母線系統,留足電壓尖峰裕量,提升系統抗雪崩能力。
VGS=±30V:寬柵極驅動範圍,相容多種 PWM 控制器與驅動晶片,降低驅動電路設計難度。
Vth=3.5V(典型):閾值電壓適中,抗干擾能力強,同時確保高壓下穩定的開關特性。
RDS(on)=160mΩ @ VGS=10V:超結工藝實現低導通電阻,滿載損耗顯著降低,可減少散熱器體積。
ID=20A:連續電流餘量充裕,能應對電機啟動、電容充電等瞬態峰值需求。
封裝 DFN8X8:低寄生電感與熱阻,支持高頻開關,同時適合緊湊型大電流 PCB 佈局。

領域和模塊應用:


高壓 DC-DC 轉換器:低導通損耗提升轉換效率,超結結構降低開關損耗,適合通信電源與伺服器電源。
光伏逆變器:650V 耐壓覆蓋常用母線電壓,低內阻減少功率管溫升,提升整機可靠性。
儲能與充電樁:大電流能力滿足充放電回路需求,抗雪崩特性增強系統在惡劣工況下的魯棒性。
工業電機驅動:高壓寬裕應對母線浪湧,PWM 開關特性優異,助力驅動器小型化與高效化。
UPS 不間斷電源:快速開關與低損耗特性適配高頻化設計,提高功率密度並降低散熱成本。
輔助電源與高壓啟停電路:耐壓餘量充足,寬溫工作範圍適配工業環境,保障長期穩定運行。選型總結:SIHH21N65E-T1-GE3-VB 在高壓耐壓、載流能力、導通電阻與封裝熱性能之間實現均衡,是 650V 高壓功率開關類應用的高性價比通用選擇,特別適合對效率、可靠性和功率密度有嚴格要求的專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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