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TK28V65W,LQ-VB 產品詳細

產品簡介:

TK28V65W,LQ-VB 是一款面向高壓功率開關場景深度優化的 Single N-MOS,採用 SJ_Multi-EPI 超結多外延工藝,在導通電阻與開關速度之間實現出色平衡。DFN8X8 封裝兼具優異散熱能力與緊湊占板面積,650V 耐壓、20A 載流能力、160mΩ 導通電阻的組合,使其成為工業電源、光伏逆變及充電樁等高壓高密度應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A 160(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8X8 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI

VDS=650V:適配 220V/380V 工業系統及高壓母線,留足尖峰電壓裕量,提升系統抗雪崩能力。
VGS=±30V:柵極驅動範圍寬,相容多種驅動器輸出,降低誤開通風險,提升驅動魯棒性。
Vth=3.5V(典型):閾值電壓適中,有效抑制 dv/dt 引發的高頻振盪,同時保證可靠關斷。
RDS(on)=160mΩ @ VGS=10V:超結工藝實現低導通損耗,滿載溫升顯著降低,可簡化散熱設計。
ID=20A:連續電流餘量充裕,可覆蓋大多數高壓功率變換器的初級開關及 PFC 電路需求。
封裝 DFN8X8:大面積裸焊盤設計,熱阻低、寄生電感小,支持高頻開關,同時節省 PCB 面積。

領域和模塊應用:


開關電源(SMPS):低導通電阻與低柵極電荷提升效率,適用於高效 AC-DC 主開關。
功率因數校正(PFC)電路:650V 耐壓配合快速開關特性,滿足連續/臨界導通模式下的低損耗要求。
光伏逆變器:高耐壓餘量與低損耗特性提升 DC-AC 轉換效率,增強長期戶外可靠性。
充電樁與車載充電機(OBC):高功率密度封裝與高載流能力適配大功率充電模組,降低溫升。
工業電機驅動:超結結構抗雪崩能力強,適合高壓母線供電的變頻器及伺服驅動器。
伺服器與通信電源:高效率與 DFN8X8 小型化優勢,助力高密度電源模組設計。
LED 大功率照明驅動:寬耐壓範圍適應電網波動,低導通壓降減少驅動級功耗。選型總結:TK28V65W,LQ-VB 在高壓耐壓、低導通損耗與緊湊封裝之間實現均衡,是 650V 高壓開關類應用的高性價比通用選擇,特別適合對功率密度、熱管理和系統效率有嚴格要求的專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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