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SIA432DJ-T4-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SIA432DJ-T4-GE3-VB 是緊湊高效的單 N 溝道功率 MOSFET,採用 DFN8(3X3) 封裝,30V 耐壓,18A 大電流承載能力。基於 Trench 工藝,導通電阻低至 21mΩ(10V 驅動),開關損耗小,發熱低,適合高密度電源設計。柵極驅動電壓範圍寬達 ±20V,相容多種低壓控制信號,應用靈活可靠。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 18A 25(mΩ) 21(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 18A Trench
耐壓:30V
驅動電壓:±20V
開啟閾值:1.7V
導通電阻(4.5V 驅動):25 mΩ
導通電阻(10V 驅動):21 mΩ
最大電流:18A
封裝:DFN8(3X3)
技術:Trench

領域和模塊應用:


DC-DC 轉換器 → 同步整流,效率更高
電池充放電保護 → 快速切斷,安全可靠
電機驅動與控制 → 大電流輸出,回應迅速
電源管理模組 → 低導通損耗,提升整體性能
負載開關 / USB 供電 → 通斷乾脆,穩定不燙
工業控制與車載電子 → 小封裝高可靠性,適應嚴苛環境
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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