TPCC8104,L1Q(CM-VB - VBsemi MOSFETs製造商

TPCC8104,L1Q(CM-VB 產品詳細

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產品簡介：

還在為負壓電源管理功耗大、散熱難而煩惱？VBsemi TPCC8104 來解憂！這顆 DFN8(3X3) 封裝的 P-MOS 管，雖然尺寸緊湊，卻能承載 -52A 超大電流，導通內阻低至 4mΩ @ 10V，傳導損耗極低，發熱表現遠超同類器件。Trench 工藝結合快速開關特性，讓它在 -30V 耐壓範圍內輕鬆勝任電池保護、負載開關等嚴苛場景，是高性能電源設計的“低壓大電流利器”。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-30V		-3V	-52A		5(mΩ)	4(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-30V		-3V	-52A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-30V		-3V	-52A		Trench

耐壓等級：-30V（負壓應用餘量充足，穩妥可靠）
驅動範圍：±20V（相容 3.3V/5V/12V 驅動控制）
開啟門檻：-3V（標準邏輯電平即可可靠導通）
超低內阻：4mΩ @ 10V，5mΩ @ 4.5V（導通損耗極低，發熱更小）
大電流能力：-52A（DFN8 小封裝，卻有大能量）
封裝：DFN8(3X3)（適合高密度貼裝，散熱性能優異）

領域和模塊應用：

五大典型場景，一芯搞定
負載開關：便攜設備電源通斷，壓降低、回應快，延長電池續航
電池保護：精准切斷過流與短路故障，守護電芯安全
DC-DC 轉換：同步整流降壓方案，提升轉換效率，助力模組小型化
電機驅動：風扇、泵類等負壓驅動，調速平穩，雜訊更低
電源管理：伺服器、通信設備輔助電源，穩定可靠，適應寬溫域TPCC8104
小封裝，大電流，讓您的低壓電源設計更從容！

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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