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SIHP10N40D-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

SIHP10N40D-GE3-VB 是一款為高壓功率開關場景設計的 Single N-MOS,採用 SJ_Multi-EPI 超結工藝,在 500V 耐壓等級下實現低導通電阻與快開關特性的良好平衡。TO220 封裝具備優異的散熱能力與機械強度,適合工業電源、逆變器等中大功率應用。10A 連續電流、380mΩ 導通電阻的組合,使其成為替代傳統平面高壓 MOSFET 的高性價比選擇,尤其適合對效率與可靠性要求較高的系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 10A 380(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI

VDS=500V:適配 220V 交流整流、三相工業母線及高壓 DC-DC 系統,提供充足電壓裕量,降低電壓尖峰擊穿風險。
VGS=±30V:柵極驅動耐壓範圍寬,相容不同驅動晶片及 PWM 控制器,簡化柵極保護電路設計。
Vth=3.5V(典型):閾值電壓適中,抗干擾能力強,同時保證高壓下穩定開啟,適配標準 10V~15V 柵極驅動。
RDS(on)=380mΩ @ VGS=10V:超結工藝有效降低導通損耗,重載工況下溫升更低,可減小散熱器體積或降低風扇需求。
ID=10A:連續電流能力足以覆蓋多數中功率開關拓撲,峰值電流餘量充沛,適合電機、變壓器等感性負載。
封裝 TO220:通孔安裝便於焊接與散熱,熱阻低,適合需要長期可靠運行的工業級板卡設計。
工藝 SJ_Multi-EPI:多外延超結結構優化電場分佈,提升雪崩耐量,開關過程中 dv/dt 與 di/dt 表現更穩健。

領域和模塊應用:


開關電源(SMPS):高壓 BUCK、正激/反激拓撲中作為主開關管,低導通電阻與低開關損耗綜合提升輕載和滿載效率。
PFC 功率因數校正:適合連續導通模式(CCM)或臨界導通模式(CRM)PFC 電路,耐壓餘量大,抗浪湧能力強。
工業電機驅動:500V 耐壓覆蓋三相 380V 輸入整流後母線電壓,TO220 封裝便於佈局散熱,PWM 開關可靠。
光伏逆變器:用於 DC/DC 升壓或 H 橋逆變級,超結技術帶來低損耗,助力系統提升發電效率。
電焊機與切割電源:高頻開關條件下損耗低,承受超載能力強,適應惡劣工作環境。
高壓 DC-DC 轉換器:應用於通信電源、充電樁輔助電源等,可替代低壓降二極體提升同步整流效率。
家電變頻控制:空調、冰箱等變頻壓縮機驅動,耐壓和電流餘量充足,可靠性高。選型總結:SIHP10N40D-GE3-VB 在 500V 高壓平臺下實現了低導通電阻、強抗干擾能力和高可靠性的結合,TO220 封裝便於散熱與裝配,是中小功率高壓開關應用的通用優選型號,尤其適合對效率、穩定性和成本均有要求的工業及消費電源專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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