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TK165E65Z5,S1X-VB 產品詳細

產品簡介:

TK165E65Z5,S1X-VB 是一款面向高壓功率開關場景深度優化的 Single N-MOS,採用 SJ_Multi-EPI 超結工藝,兼顧低導通損耗與高開關速度,TO220 封裝在大電流散熱與系統裝配便利性之間取得平衡。650V 耐壓、20A 載流能力、160mΩ 導通電阻的組合,使其成為高電壓、高可靠性應用中的理想功率開關選件,特別適合工業電源、光伏逆變及電機驅動等對耐壓和損耗有嚴格要求的場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI

VDS=650V:適配 380V/220V 工業系統及高壓直流母線,留足尖峰電壓裕量,顯著降低雪崩擊穿風險。
VGS=±30V:柵極驅動裕量寬,相容多種柵極驅動 IC 與電平轉換電路,提升系統抗干擾能力。
Vth=3.5V(典型):閾值電壓適中,可有效抵抗 dv/dt 引發的誤導通,增強高壓開關的可靠性。
RDS(on)=160mΩ @ VGS=10V:超結工藝實現低導通電阻,滿載損耗小,可簡化散熱設計並提高整機效率。
ID=20A:連續電流能力充裕,覆蓋多數中功率高壓負載的穩態與峰值需求。
封裝 TO220:成熟通孔封裝,散熱路徑短、熱阻低,便於安裝於散熱器,適用於功率較大的應用場景。

領域和模塊應用:


工業開關電源:低導通電阻與高壓耐受能力匹配反激/正激拓撲,有效降低初級側損耗,提升電源轉換效率。
光伏逆變器:超結結構降低開關損耗,20A 電流能力滿足組串式逆變器功率級需求,提升發電收益。
電機驅動/變頻器:高壓母線直驅,耐壓裕量大,PWM 開關特性優異,改善電機運行平穩性並降低控制器溫升。
UPS 不間斷電源:650V 耐壓應對母線波動,低 RDS(on) 減少通態損耗,延長後備時間並提高系統可靠性。
高壓 DC-DC 轉換器:在 PFC 及 LLC 電路中用作開關管,超結技術助力高頻化設計,縮小磁性元件體積。
充電樁輔助電源:適應寬輸入電壓範圍,寬溫工作能力增強戶外惡劣環境下的長期穩定性。選型總結:TK165E65Z5,S1X-VB 在高壓耐壓、電流能力、導通電阻和封裝熱性能之間實現優異平衡,是 650V 高壓開關類應用的高性價比通用選擇,特別適合對效率、可靠性與散熱要求嚴格的工業級專案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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