功率MOS管具有優異的熱穩定性，不會發生熱失控，因此 並聯多個MOSFET是一種很常見的使用方法，它可以減少傳導損耗和分散功耗，以便限制最大結溫。

1.功率MOS並聯要點：

在高速下空中高功率下，進行並行連接時，最主要的是需要避免電流集中，以及過電流，能夠確保在所有可能的負載條件下，很好地平衡、均勻所有流過器件的電流。

2.功率MOS並聯時的靜態/動態動作

靜態：

Rds（on）較低的MOS管能夠導通更多的電流。

當它升溫時，Rds（on）增加，部分電流將轉移到其他MOS管上，電流共用取決於每個MOS的相對的電阻值。

注意：a.每個MOS的電流與其接通電阻的Rds（on）的倒數成正比關係；

b.熱耦合良好的平行放置MOS的結溫度大致相同。

動態：

動態運行時，閾值電壓Vgsth最低的MOS管首先打開，最後關閉。這種MOS管一般會佔據更多的開關損耗，並且在開關轉換過程中，承擔了更高的電應力。

3.開啟、關斷閾值保持一致

由於功率MOS切換時間會有所差異，因此在通電和斷電期間容易出現不平衡，而在開關時間上的變化很大程度是由門-源閾值電壓Vth的值。即：Vth的值越小，通電時間越快。相反，斷電期間，Vth的值越大，截止的速度就越快。

此外，當電流集中在一個具有較小Vth的功率MOS上時，通電與斷電的過程中會出現電流不平衡，這會讓設備功率損耗過大，導致故障。因此，最好使用相近Vth值以及開關時間的變化，在每個MOS之間插入一個電阻，可以確保穩定運行以及防止異常振盪。

4. 其他要點：

A.每個MOS需要柵極電阻，且阻值在幾Ω到幾十Ω,防止電流共用和振盪；

B.MOS管具備良好的熱耦合，確保電流和熱平衡；

C.避免在GS之間添加外部器件，可以適當調整電阻值，優化開關速度。

問題來了，那並聯多個 雙極電晶體和MOS管有什麼主要區別嗎？

雙極電晶體由於是基極電流驅動，因此電流平衡更容易被基極-發射極電壓Vbe的波動所破壞，這樣會導致並聯連接均衡會變得困難。

而功率MOS管，由於是電壓驅動，因此只需要向並聯連接的每個MOS管提供驅動電壓就可以保持相當不錯的均衡性，使並聯更加容易，因此MOS管相比雙極電晶體，在多個並聯的場景中會更有優勢。

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