我們經常會提到NMOS和PMOS，並且微碧在往期講過不少兩者在一些應用領域中的情況。但是很少對兩者的基本情況進入深入探討，今天我們來對兩者之間的區別進行簡單的講解（以電流和導通條件為主）。

NMOS的電流流向和導通條件：

NMOS（N溝道MOSFET）

電流流向：

NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從源極流向漏極，即S-D。

電流可由D-->S（nmos），也可S-->D（pmos）。主要是看源極和漏極之間的電位，漏極電位高於源極，電流D到S。源極電位高於漏極，電流S到D。

導通條件：

NMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）大於或等於閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs大於或等於Vth，NMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。

PMOS的電流流向和導通條件：

PMOS（P溝道MOSFET）的電流流向和導通條件如下所述。

電流流向：

PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當負向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從漏極流向源極，即D-S。

導通條件：

PMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）小於或等於閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs小於或等於Vth，PMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負值或零。

S是源極，D是漏極

對於NMOS，載流子是電子，我們知道電子的流向都是從源極到漏極，但是電流的流向是從漏極到源極。

對於PMOS，載流子是空穴對，空穴對的流向也是從源極到漏極，與NMOS不同的是PMOS電流的方向也是從源極到漏極，注意區分。

以常見的Silicon-On-Insulator（SOI）技術製造的NMOS和PMOS為例。

對於NMOS：

- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決於器件的尺寸和工藝。

- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。

對於PMOS：

- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決於器件的尺寸和工藝。

- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。

#曬出上學時的你#

說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導體功函數，柵氧化層電容，關於襯底偏置效應等。

NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對應MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。

需要注意的是，以上數據僅供參考，實際的閾值電壓和電流流向可能因不同器件和工藝而有所不同。