問題一、雙N溝道mos buck電路上電燒mos管該如何修改？

48V轉13V非隔離buck直流電路。現在設定好25A負載後上電測試會出現板子上其中一個mos燒壞的現象，把壞的mos換了再測就不會再出現問題。

我用示波器測良品mos DS電壓最高是64V，低於手冊標注的最高80V，柵極開啟電壓15V，低於手冊標注的最高25V，mos開關的時間（上升沿和下降沿）夠短，產品有限流保護，30A時電壓會被拉很低9-10V。

請問該怎麼去測量和分析

問題二、mos管並聯的驅動電阻如何配置，開啟電壓如何確定？

mos管並聯可以增大電流能力，並聯MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開通關斷延遲時間，開啟電壓？

上面的連接正確嗎？

上期解答：

上期解答一、只有開關器件截止的時候會，因為存在這個漏感，一旦截止就會產生反電動勢，MOS這樣的尤其容易被擊穿。如圖的漏感，簡單理解就是，在導通時的感應電壓是上正下負，而且此時的MOS管導通，所以這個上正下負的漏感電壓就不會對MOS造成損壞。

上期解答二、MOS管導通後，反向時主要是流過溝道，因為體二極體本身有比較大的二極體壓降，約為0.7V，溝道相當於把體二極體給短路了。